简介： 把MOS 管技术引入功率半导体器件的思想开创了革命性的器件：绝缘栅双 极晶体管IGBT。她正在影响着工业，消费，军事等电力电子系统。 随着IGBT 的工作频率在20KHZ 的硬开关及更高的软开关应用中，我们已 然把她代替了MOSFET 和GTR IGBT 的发展使集外围电路内置于一块功率模块的IPM 脱颖而出。IPM 已被 用于无噪声逆变器，低噪声UPS 系统和伺服控制器等设备上。IPM 使用户产品的 体积减小，缩短上市时间，简化开发步骤。因为她内含：栅极驱动，短路保护， 过流保护，过热保护和欠压锁定