导航:老古开发网首页 | 所有下载 | 热门下载 | 下载搜索

共有 : 2074 个 , 共104
No. 1800

添加日期 :2005年12月17日 类型 :IC资料 大小 :221K 下载次数 :2249次

SA57022-XX 带开关控制和Vref 旁路的500mA LDO 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:SA57022-XX 带开关控制和Vref 旁路的500mA LDO 总体描述 SA57022-XX 有极精确的固定输出其典型的精确性可达2% 通过Bypass 管脚它可以提供很低 的下降电压和极低的噪声它还能进行快速瞬时响应电源电流减少到0 典型值 SA57022-XX 还有过热和过电流保护SA57022-XX 可以用只有1.0µF 的输出电容稳定最大的输出 电流是500mA 它使用的是SOP-7B 封装 特性 • 下降电压非常低典型300mV Iout=500mA • 高精度的输出电压2% • 输出电流容量500mA • 低噪声在20Hz 80KHz Cn=470pF 下典型值是75µVrms • 极好的线性调节典型10mV • 极好的负载调节典型20mV • 对Vout 有低温度漂移系数100ppm/ • 内部电流限制和热停机电路 • 输入电压范围-0.3V~12V • 宽预设输出电压范围1.8V~5V • 宽工作温低范围-40 ~+85 应用 • 电池供电的系统 • 手提电脑 • 照相机VCR 和便携式摄像机 • PCMCIA 卡调制解调器传呼机 • 蜂窝式/GSM/PHS 移动电话 • SMPS 的线性后置调整器 • 仪表 SA57022-XXD
No. 1799

添加日期 :2005年12月17日 类型 :IC资料 大小 :405K 下载次数 :958次

SA56600-42用锂电池后备的系统复位芯片 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:SA56600-42 被设计用在电源电压降低或断电时作保护微电脑系统 中SRAM 的数据当电源电压下降到通常值4.2V 时输出CS 变为逻辑 低电平把CE 也拉低从而禁止对SRAM 的操作同时产生一个低电 平有效的复位信号供系统使用如果电源电压继续下降到达通常值 3.3V 或更低时SA56600-42 切换系统操作从主电源供电切换到后备 锂电池供电当主电源恢复正常电压上升至3.3V 或更高时将SRAM 的供电电源将由后备锂电池切换回主电源当主电源上升至大于典型值 4.2V 时输出CS 变为逻辑高电平使CE 变为高电平使能SRAM 的操 作复位信号一直持续到系统恢复正常操作为止在系统电源电压不足 或突然断电的时候这个器件能可靠地保护系统在SRAM 内的数据 SA56600-42 提供SO8 表面贴装的封装形式 SA56600-42D SO8 小型塑料表面封装8 引脚本体宽度3.9mm -40 +85
No. 1798

添加日期 :2005年12月17日 类型 :IC资料 大小 :812K 下载次数 :1335次

1节电池用电池保护IC S-8261系列 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S-8261系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的锂离子/锂 聚合物可充电池的保护IC。 本IC最适合于1节锂离子/锂聚合物可充电池组的过充电、过放 电和过电流的保护。 特点 (1) 内置高精度电压检测电路 · 过充电检测电压3.9 V ~ 4.4 V(对应5 mV级进) 精度±25 mV(25°C)、±30 mV(−5°C ∼ +55°C) · 过充电滞后电压0.0 V ~ 0.4 V *1 精度±25 mV 过充电滞后电压可以在0.0 V∼0.4 V的范围内选择,并以50 mV为单位级进 · 过放电检测电压2.0 V ~ 3.0 V(对应10 mV级进) 精度±50 mV · 过放电滞后电压0.0 V ~ 0.7 V *2 精度±50 mV 过放电滞后电压可以在0.0 ~ 0.7 V的范围内选择,并以100 mV为单位级进 · 过电流1检测电压0.05 V ~ 0.3 V(对应10 mV级进) 精度±15 mV · 过电流2检测电压0.5 V(固定) 精度±100 mV (2) 连接充电器的端子采用高耐压器件(VM 端子、CO 端子:绝对最大额定值=28 V) (3) 各种延迟时间只需由内置电路来实现(过充电:tCU、过放电:tDL、过电流1:tIOV1、过电流2:tIOV2) (不需外接电容) 精度±20% (4) 内置三段过电流检测电路(过电流1、过电流2、负载短路) (5) 可以选择向0 V 电池充电功能的<可能>/<禁止> (6) 充电器检测功能、异常充电电流检测功能 · 根据检测VM端子的负电压(典型值−0.7 V) 而解除过放电滞后。(充电器检测功能) · 当DO端子电压处于高电平(High),VM端子电压低于充电器检测电压(典型值−0.7 V) 时,CO端子的输 出将被设置于低电平(Low)。(异常充电电流检测功能) (7) 低消耗电流 · 工作状态时典型值3.5 µA 最大值7.0 µA · 休眠状态时最大值0.1 µA (8) 宽工作温度范围−40°C ~ +85°C (9) 小型封装SOT-23-6、6-Pin SNB(B) *1. 过充电解除电压=过充电检测电压−过充电滞后电压(但是,当过充电解除电压<3.8 V时不能选择) *2. 过放电解除电压=过放电检测电压+过放电滞后电压(但是,过放电解除电压>3.4 V时不能选择) ■ 用途 ·锂离子可充电池电池组 ·锂聚合物可充电池电池组
No. 1797

添加日期 :2005年12月17日 类型 :电源技术 大小 :1180K 下载次数 :1200次

超小型CMOS电压稳压器 S-817系列 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S-817系列是采用CMOS技术开发的3端子正电压稳压器。另外, 作为输出电容器,也可以使用小型陶瓷电容器,而且在低负载 (1µA)条件下,也能稳定工作。 与传统的电压稳压器相比,因备有低消耗电流、超小型封装型产 品(SNT-4A : 1.2 × 1.6 mm),故最适用于小型携带设备的电源。 特点 • 低消耗电流工作时:1.2 µA典型值,2.5 µA最大值 • 输出电压在1.1 ~ 6.0 V之间能以0.1 V级进选择 • 输出电压的精度高±2.0 %精度 • 输出电流可输出50 mA(3.0 V输出产品,VIN=5 V时)*1 可输出75 mA(5.0 V输出产品,VIN=7 V时)*1 • 输入输出电压差160 mV典型值(VOUT=5.0 V,IOUT=10 mA) • 能够使用低ESR电容器能够使用0.1 µF以上的陶瓷电容器 • 内置了短路保护电路仅限于A系列 • 输入稳定度良好在低负载(1 µA)的条件下也能稳定工作 用途 • 使用电池供电的设备的稳压电源 • 通信设备的稳压电源 • 家电产品的稳压电源 S-817a s-817b s-817c
No. 1796

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :72K 下载次数 :3610次

S3C44B0X中文数据手册第十七章 IIS总线接口 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第十七章 IIS总线接口 Samsung公司的S3C44B0X,采用0.25µmCMOS工艺,其CPU采用ARM公司的主频为66MHz并带8KB缓存的ARM7TDMI RISC结构,支持片上ICE中断调试,并具有32位硬件乘法器。它还有两个DMA通道,5个PWM定时器及1个内部定时器,8个外部中断源,8个10位的ADC,71个通用I/O口;另外,在能耗控制方面的性能显得尤为突出,它总共有四种能量控制模式,包括正常、低、休眠和停止。片上ICE中断调试支持JTAG调试方式,是该微处理器最显著的特点,这也是与以往单片机开发方式最明显的区别之一。它的接口资源也及其丰富,有IIS总线接口,I2C总线接口,同步串行I/O口。
No. 1795

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :288K 下载次数 :3462次

S3C44B0X中文数据手册第十六章 IIC 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第十六章 IIC 微处理器为Samsung公司的S3C44B0X,采用0.25µmCMOS工艺,其CPU采用ARM公司的主频为66MHz并带8KB缓存的ARM7TDMI RISC结构,支持片上ICE中断调试,并具有32位硬件乘法器
No. 1794

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :288K 下载次数 :3203次

S3C44B0X中文数据手册第十四章 RTC 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第十四章 RTC S3C44B0X是常用的一款基于ARM7TDMI内核的RISC处理器 ARM7TDMI内核支持7种处理器模式:User,FIQ,IRQ,Supervisor,Abort
No. 1793

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :251K 下载次数 :3202次

S3C44B0X中文数据手册第十三章 A/D转换器 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第十三章 A/D转换器 S3C44B0X微处理器是三星公司专为手持设备和一般应用提供的高性价比和高性能的微控制器解决方案。它使用ARM7TDMI核,工作在66MHz,集成了LCD控制器等外围器件
No. 1792

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :764K 下载次数 :3427次

S3C44B0X中文数据手册第十二章 LCD控制器 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第十二章 LCD控制器 3C44B0X自带LCD控制模块,但它并不支持所有点阵形式的LCD。为了充分利用该芯片,可以选它所支持的LCD。但如果一定要用其他的LCD,这也没关系,因为对LCD的操作就象对其他的存储器操作一样简单。
No. 1791

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :990K 下载次数 :3234次

S3C44B0X中文数据手册第十一章 中断控制器 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第十一章 中断控制器 5路PWM调制输出,可用于控制蜂鸣器输出不同声音,提示系统各类信息;⑤71个I/O口,包括8个外部中断源,可用于键盘、LCD背光、照明控制等;⑥8路10位A/D转换器,可用于系统电池检测;⑦带日历功能的系统实时时钟,可用于纪录抄表时间;⑧内置的PLL锁相环可以设置系统工作频率,最高达73MHz;⑨4种系统工作模式:正常、慢速、闲置和停止模式。根据需要设置不同的工作方式,可以降低系统功耗。
No. 1790

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :656K 下载次数 :6205次

S3C44B0X中文数据手册第十章 UART串行口 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第十章 UART串行口 BANK8、7专用于SRAM、FP/EDO/SDRAM等;②LCD控制器支持单色、4、16级灰度的LCD模块;支持4位的单双行扫描、8位的单行扫描形式的显示类型;支持的主要显示点阵为:640×480 320×240 160×160等;③两路UART口,最高波特率为115200baud,支持IrDA 1.0,可用于红外通讯;
No. 1789

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :843K 下载次数 :3446次

S3C44B0X中文数据手册第九章 PWM定时器 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第九章 PWM定时器S3C44B0X CPU是SAMSUNG公司推出的基于ARM7TDMI核的精简指令系统的32位高速处理器。它的工作电压为3.3V,内核ARM7TDMI的工作电压仅为2.5V,大大降低了芯片的功耗。S3C44B0X带有:①8个 MEMORY BANKS用于管理外部存储器,最大存储容量达到256MB。可外扩EPROM SDRAM FLASH RAM USB LCD。
No. 1788

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :511K 下载次数 :3349次

S3C44B0X中文数据手册第八章 I/O端口 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第八章 I/O端口 集成片上资源有:8KB缓存的2.5V静态ARM7TCMI CPU核;扩展内存控制器;带有1个专用DMA通道的LCD控制器;2个DMA通道,1个带外部请求引脚的DMA通道;1个I2C总线控制器;5个PWM定时器及1个内部定时器;看门狗定时器;71个通用I/O口,8个外部中断源;8个10位ADC;带PLL的片上时钟发生器。
No. 1787

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :408K 下载次数 :3297次

S3C44B0X中文数据手册 第七章 DMA 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册 第七章 DMA S3C44B0X上的存储系统地址空间分为8个存储体,每个存储体可达32MB,总共达256M。每个Bank的数据总线位数可设置(8/16/32位);7个存储体的初始位置确定,空间大小可设置;1个Bank的初始位置和空间大小就都可行设置。Bank0分配给自举ROM,Bank6,Bank7通常分给SDRM。
No. 1786

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :408K 下载次数 :3456次

S3C44B0X中文数据手册第六章 处理器Wrapper和总线优先级 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第六章 处理器Wrapper和总线优先级 S3C44BOX是三星公司生产的ARM7内核的SoC。S3C44B0X通过在ARM7TDMI内容基础上扩展一系列完整的通用外围器件,适合手持式设备和普通嵌入式的应用。
No. 1785

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :378K 下载次数 :3284次

S3C44B0X中文数据手册第四章 存储器控制器 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第四章 存储器控制器 BWSCON寄存器主要用来设置外接存储器的总线宽度和等待状态.在BWSCON中, 除了bank0,对其它7个bank都各对应有4个相关位的设置,分别为STx, WSx, DWx.
No. 1784

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :342K 下载次数 :3421次

S3C44B0X中文数据手册 第三章 指令系统 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册 第三章 指令系统 S3C44B0X内部存储器控制器的作用,是为外部存储器操作提供两套必要的存储器控制 信号.S3C44B0X具有以下特性: 小/大端(通过外部引脚选择) 地址空间:32M字节每bank(总共256MB:8banks) 所有bank都具有可编程的总线宽度(8/16/32位) 总共8个存储器banks 6个可用作ROM,SRAM映射空间的存储器bank 2个可用FP/EDO/SDRAM等映射空间的存储器bank 7个起始地址固定,大小可编程的存储器bank 1个具有灵活起始地址,大小可编程的存储器bank 对所有的存储器bank,具有可编程的操作周期 采用外部等待来扩展总线周期 专用DRAM/SDRAM接口支持自刷新模式 支持异步和同步DRAM
No. 1783

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :341K 下载次数 :3516次

S3C44B0X中文数据手册第二章 处理器工作模式 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第二章 处理器工作模式
No. 1782

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :452K 下载次数 :4879次

S3C44B0X中文数据手册第一章 S3C44B0X综述 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C44B0X中文数据手册第一章 S3C44B0X综述 S3C44B0X具有8个BANKCONn寄存器,分别对应着bank0-bank7.BANKCONn寄 存器针对操作时序进行设置
No. 1781

添加日期 :2005年12月17日 类型 :ARM/DSP 大小 :228K 下载次数 :5605次

S3C2410A中文数据手册 第十六章 ADC和触摸屏接口 资料语言:中文版 推荐度 :
介绍:S3C2410A中文数据手册 第十六章 ADC和触摸屏接口S3C2410内置LCD控制器详解 一块LCD屏显示图像,不但需要LCD驱动器,还需要有相应的LCD控制器。通常LCD驱动器会以COF/COG的形式与LCD 玻璃基板制做在一起,而LCD控制器则有外部电路来实现。而S3C2410内部已经集成了LCD控制器,因此可以很方便地去控制各种类型的LCD屏,例如:STN和TFT屏。由于TFT屏将是今后应用的主流,因此接下来,重点围绕TFT屏的控制来进行。 S3C2410 LCD控制器的特性: STN屏 -支持3种扫描方式:4bit单扫、4位双扫和8位单扫 -支持单色、4级灰度和16级灰度屏 -支持256色和4096色彩色STN屏(CSTN) -支持分辩率为640*480、320*240、160*160以及其它规格的多种LCD TFT屏 -支持单色、4级灰度、256色的调色板显示模式 -支持64K和16M色非调色板显示模式 -支持分辩率为640*480,320*240及其它多种规格的LCD 对于控制TFT屏来说,除了要给它送视频资料(VD[23:0])以外,还有以下一些信号是必不可少的,分别是: VSYNC(VFRAME) :帧同步信号 HSYNC(VLINE) :行同步信号 VCLK :像数时钟信号 VDEN(VM) :数据有效标志信号

(2075条/共104页) 首页 前十页 [10] [11] [12] [13] [14] [第15页] [16] [17] [18] [19] [20] 下十页 尾页
 
老古开发网版权所有 2005年11月 asp.Net 设计:老古
2008-7-4 21:11:42 页面缓存:否 执行时间: 16毫秒