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| 导航:老古开发网首页→文章索引 →文章分类→半导体 →第50页 |-文章搜索- 最新文章 -| | ||
| 标题 | 加入时间 | 点击次数 |
| 1.300mm大客户证实使用罗门哈斯电子材料公司的铜 CMP 研磨液后产量增加 简介:全球半导体行业研磨技术的领先者和创新者 罗门哈斯公司电子材料研磨技术部门 (Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies)宣布，一家主要的 300mm 半导体集团在采用了该公司生产的 铜和阻挡层 CMP 研磨液后，大幅增加了产量并在大批量生产先进的逻辑组件时 整体工艺性能取得显著提高。 这家集团已成功的导入 EPL2361 铜研磨液和 ...... | 2004年10月1日 | 386 |
| 2.汉高绿色半导体材料首次进入汽车电子市场 简介:汉高技术公司 (Henkel Technologies) 宣布Hysol GR725-AG材料已完成开发并推出市场销售，这是适于汽车发动机应用的高温半导体铸模复合材料，能够耐受严酷的环境条件。Hysol? GR725-AG可取代含有溴化阻燃剂和三氧化锑的环氧树脂铸模复合材料，后者在温度升高时会使金引线/铝焊盘之间的互连产生劣化，造成电阻大增和影响可靠性等问题。 Hysol GR 725-AG专 ...... | 2004年10月1日 | 397 |
| 3.飞兆半导体增加苏州制造设施的员工人数和生产能力 简介:全球领先的高性能功率优化产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)继续扩展其对中国市场的承诺，在上海和深圳增设全球功率资源中心 (Global Power Resource Center)，并增加苏州制造设施的员工人数和生产能力。 飞兆半导体亚太区总裁兼董事总经理郭裕亮称："中国市场是飞兆半导体全球战略的关键部分，公司实施的多项计划，包括全球功率资源中心和苏州 ...... | 2004年10月1日 | 460 |
| 4.英特尔采用65纳米制程技术 推动摩尔定律继续发展 简介:英特尔公司8月31日宣布在开发下一代芯片制造技术领域抵达重要里程碑。公司使用全球最先进的65纳米制程技术，成功制造出了包含有5亿多个晶体管、并具备全部功能的70 MB静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这一成就进一步扩展了英特尔每两年一次的全新制程开发工作，将推动摩尔定律继续向前发展。 采用全新65纳米（1纳米等于十亿分之一米）技术制造的晶体管栅极（打开和关闭晶体管的开关）的尺寸为35纳米，比 ...... | 2004年10月1日 | 270 |
| 5.康宁将在华建立液晶显示玻璃基板业务 简介: 康宁公司9月3日宣布, 任命柯康宜先生 (Nitin S. Kulkarni) 为康宁显示科技部中国区总裁, 负责在中国建立康宁液晶显示玻璃基板业务。 柯康宜先生在康宁工作了18年，在此之前，他担任康宁显示科技部在台 ...... | 2004年10月1日 | 310 |
| 6.GlobalCAD为华虹NEC0.18微米CMOS新工艺提供标准设计平台 简介: 上海华虹NEC电子有限公司（HHNEC）(www.hhnec.com.cn) 与GlobalCAD 公司(www.gcadinc.com)正式签订合作协议，后者将为华虹NEC新开发完成的0.18微米CMOS工艺提供标准设计平台。最近，华虹NEC成功提升工艺水平，开发完成了面积更紧凑，性能更佳并与其他晶圆代工厂相容的0.18微米CMOS工艺--CL180G。 根据协议， ...... | 2004年10月1日 | 294 |
| 7.等离子气相淀积镍技术 简介:ALPS等离子气相淀积镍技术，可实现在40nm线宽下电阻率降低20%到50%。 ALPS镍工艺是设计用作先进的栅硅化物工艺的，在纵横比为2.5:1的亚100A薄膜中，它的底部覆盖也能比50%还要好。因此,尽管这种技术消耗的硅只是常规硅化物工艺的一半，它还是能提供一个低漏电的界面。Endura ALPS镍系统把PVD很好的带到了65nm时代，并且超过了在关键晶体管应用中，客户对大量生产所需要的可 ...... | 2004年7月28日 | 311 |
| 8.等离子体处理系统 简介:XTRAK-IFP系统是一个无离子的能够应用于多种的半导体器件清洗的等离子处理工艺，比如更小体积的先进的存储器件、用更小引线互连的寄存器芯片和其他预编程器件。该系统有一个能够容纳更大的零件或支撑多种零件的加工支架的等离子放大腔。它能够每小时加工180个圆片或加工支架。这个工具的智能校准管理系统提供的闭环控制调节时间小于1分钟。多种等离子体模式允许没有限制的任何工艺气体的选择。其三轴对称腔保证了整个 ...... | 2004年7月28日 | 306 |
| 9.铜互连工艺 简介:随着科学技术的突飞猛进,半导体制造技术面临日新月异的变化，其中12英寸、90纳米技术和铜工艺被称为引导半导体发展趋势的三大浪潮。传统的半导体工艺是主要采用铝作为金属互联材料(Interconnect)，在信号延时(signal delay)上已经受到限制。人们寻找到了新的材料来满足对电阻的要求，这种材料就是铜。简单地说，铜工艺就是指以铜作为金属互联材料的一系列半导体制造工艺。将铜工艺融入集成电路制 ...... | 2004年7月27日 | 935 |
| 10.单晶圆清洗技术 简介:一直以来，引领湿式处理市场的是批式处理技术（即在一个处理仓中，利用浸泡方法同时清洗多只晶圆的技术）。每一代工艺应用，这种高产能的方法曾经证明了其有效性和极高的生产力。但是整个半导体行业正在历经重要的技术转型期，传统的批式处理方法已经越来越无法适应湿式清洗应用,制造工艺过程需要其它新型清洗步骤，从而确保重要的器件规格、性能以及可靠性不会因污染物的影响而大打折扣。此外，批式湿式处理无法满足如快速热处理 ...... | 2004年7月27日 | 572 |
| 11.新型装片和传送装置 简介:采用了碳纳米管材料的装片装置和传送产品到液体处理产品即将用于商业。由于单壁碳纳米管（SWNTs），的强度是钢铁的100倍，而重量只有六分之一。CNI公司说，这种圆柱体的聚合物是已知材料中最强，最硬，最坚韧的，它能象金属一样导电，象钻石一样传热。通过把CNI公司在单壁碳纳米管中的专业技术应用到产品中，将能有效提高相关材料的力学等性能，提供给客户优越的产品。预期2005年将有产品推出。 ...... | 2004年7月27日 | 410 |
| 12.45nm铜工艺 面临的挑战 简介: 摘要： 本文综述了铜工艺即将面临的各种变化，包括扩散阻障层（barrier）、电镀添加剂、覆盖层以及与多孔超低k电介质之间的整合等。 随着半导体向45nm工艺的深入发展，铜工艺技术不可避免地要发生一些变化。TaN扩散阻障层物理气相沉积（PVD）技术可能将被原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）技术所取代，之后可能还会引进钌阻障层技术。钌阻障层技术不再需 ...... | 2004年7月26日 | 595 |
| 13.纳米技术 ── 商机何在？ 简介: 随着各种媒体如电影和书籍等大力宣传 (包括正面的和负面的)，纳米技术已逐渐为公众所关注。到底纳米技术是什么？它将如何影响电子业呢？ US National Nanotechnology Initiative对纳米技术的定义是：“在原子和分子以及超分子层面工作，长度约在1至100nm范围内，以便开发因其微小结构而具有全新特性和功能的材料、器件以及系统。” 纳米技术以不同 ...... | 2004年7月26日 | 691 |
| 14.纳米印刷微细图形加工展现独特技术优势 简介:尽管浸入式光刻技术越来越受到人们的青睐和关注，但是纳米印刷微细图形加工技术（Nanoimprint lithogaphy，简称NIL)的发展也很快。NIL的成本相对较低，很有可能成为下一代微细图形加工技术的有力竞争者。现在，人们已经开始逐渐接受NIL，并且投入了一定的研发资源。就象浸入式光刻一样，作为32 nm工艺的候选方案之一，NIL也被最新版国际半导体技术蓝图（IRTS）所收录。 NIL有 ...... | 2004年7月26日 | 430 |
| 15.X光孔隙探测系统：发现隐蔽的缺陷 简介:晶圆凸点技术持续全力的发展，使得倒装封装、圆片级封装和其它的前沿封装技术在新一代的多功能移动应用中得到广泛使用。制作凸点晶圆的优点在于在晶圆上直接制备凸点或连接，它能够比传统的单芯片封装技术更有效更经济。比如，一个300mm的晶圆上依照设计可能集中有30万到130万个凸点，所有这些凸点可以用一个工艺步骤来制备。 凸点制作可以用电镀、溅射、金凸点制作、批量成像植球、焊料丝网印刷这几种方式完成，当 ...... | 2004年7月26日 | 366 |
| 16.Sexy旋转涂布溶液 简介: 研究人员一直在设法使用各种有机材料以及与喷墨印刷类似的技术制造物美价廉的显示器或其它器件。其中许多研究的目标是“电子报纸”—由柔性衬底上的薄膜晶体管（TFT）构成的显示器。与传统芯片制造技术不同，该器件采用的是roll-to-roll的制造工艺。 有机材料的一个问题是其器件性能没有无机材料那么好。但是，使用无机材料时又会遇到缺乏简单易行的薄膜沉积技术的问题。例如，金属通常都采用物理气相沉 ...... | 2004年7月26日 | 356 |
| 17.无线技术中的堆栈裸芯片封装 简介:假如您曾经想过要打开一个富有特色的2.5G新手机, 并将其与早些版本的“发送和接收”型手机进行比较, 您会惊奇地发现二者有许多截然不同的地方。事实上，2.5G手机的电路板的确有较少而且更紧密的布局、更整洁的外观和专业封装。有些却是只有当您将手机破坏后才能看到的, 这些封装包含的活跃IC至少堆叠有三层高。2.5 G手机的堆栈封装可以包含带有两种不同内存的逻辑芯片。 手机制造商们成功地用3D封装为 ...... | 2004年7月26日 | 366 |
| 18.摩尔定律的前70年 简介:集成电路发明之后的不久，美国人戈登·摩尔就提出了著名的摩尔定律。在1965年时摩尔曾这样描述：“随着芯片上电路的复杂度提高，元件数目必将增加，然而每个元件的成本却每年下降一半”。 摩尔描绘的发展蓝图，果然在随后的十年得到了映证：芯片上元器件的数量从1965年的2的6次方个增加到了1975年的2的16次方。而摩尔最初的假设也被1975年推出的一种包含了65，000个元器件的16K CCD所证实了 ...... | 2004年7月26日 | 334 |
| 19.中国：世界IC封装重镇 简介: 中国大陆IC封装企业生产规模近年来强劲发展，2003年占中国集成电路企业销售收入的70％,预计到2007年，中国占全球芯片封装市场的比例将达30％。而中国IC封装起步低，技术上与国际水平还有一定的差距，中国封装企业正在努力提升自己的技术水平… 中国大陆庞大市场的吸引力和较低运营成本的优势， 直接导致了近年来半导体投资资金聚集大陆，并带动了大陆IC封装企业生产规模和封装技术的 ...... | 2004年7月26日 | 724 |
| 20.KEMET公司宣布将向无铅标准接脚过渡，在网上推出绿色产品路图 简介:KEMET公司5月18日宣布，它将向无铅产品过渡，Tantalum MnO2和Organic Polymer KO-CAP产品将采用标准接脚。这一过渡的动力是人们越来越关注环保立法，在电子器件制造中不再使用铅。有关KEMET公司各种产品的绿色产品路图的资讯和资源可从网上查阅，包括符合RoHS标准和向无铅接脚的过渡：http://www.kemet.com/page/Greenproduct。 ...... | 2004年6月24日 | 306 |
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