|
|
|
|
|
| 导航:老古开发网首页→文章索引 →文章分类→半导体 →第10页 |-文章搜索- 最新文章 -| | ||
| 标题 | 加入时间 | 点击次数 |
| 1.英特尔欲09年量产32nm晶体管，以期节能和性能改进 简介: 据悉，英特尔将于2009年采用32纳米技术节点推出三闸晶体管(trigate transistors)。采用这种新型的3D晶体管结构，英特尔希望实现显著的功率节省及性能改进目标。 据英特尔组件研究总监Mike Mayber指出，该公司在新晶体管内成功整合了高K介电质 ...... | 2006年8月29日 | 338 |
| 2.南科集团开发出节能灯专用POWER MOSFET产品 简介: 南科集团日前开发出一系列节能灯专用POWER MOSFET产品，由芯片设计、芯片制造及芯片封装完全具有自主知识产权及核心技术。 上述产品全部使用垂直D-MOS高压工艺制作，封装型式按照功率要求可分为SOT-23、SC-59、TO-251及TO-220四种，可涵盖由8W ...... | 2006年8月25日 | 519 |
| 3.Hemlock半导体欲增建多晶硅厂，满足太阳能芯片需求 简介: Hemlock半导体公司正在全球范围内选址建设第二个生产多晶硅的制造厂，以满足太阳能芯片市场对多晶硅日益增长的需求。该公司是全球最大的多晶硅材料生产商，预计在5年内让新厂投入运营。 选择新厂的因素包括：能源的价格、税收、激励计划、劳动力和土地成本以及周围的基础设施，多晶硅供应商透露说。Hemlock半导体公司是道康宁公司和两家日本公司Shin-Etsu Handotai有限公司和Mits ...... | 2006年8月24日 | 523 |
| 4.三款新型25V DirectFET MOSFET 简介: 生产商： 国际整流器公司(IR) International Rectifier(IR) 产品说明： 这三款产品包括控制MOSFET IRF6622、同步MOSFET IRF6628和IRF6629，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要更高的效率和更好 ...... | 2006年8月24日 | 730 |
| 5.用于数字地面广播移动电话的可调式天线变容二极管RKV653KP和RKV653KL 简介: 生产商： 瑞萨科技 Renesas Technology 产品说明： RKV653KP和RKV653KL是两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管（varicap diode），RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸，而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。主要应用于 ...... | 2006年8月22日 | 812 |
| 6.本田新厂2007年投产化合物半导体太阳能电池 简介: 本田年产规模达27.5MW的新工厂将于2007年投入生产。该公司2005年底开始在宫崎县田野町尾胁高新技术工业园区建设太阳能电池量产厂，计划2007年1月开工投产。年产量为20MW。由于目前主流的结晶硅太阳能电池原料——多晶硅材料日趋匮乏，因此今后准备量产有望成为替代性能源的化合物半导体太阳能电池。 ...... | 2006年8月20日 | 472 |
| 7.MEMC与Suntech达成最终协议,共创太阳能晶片产业 简介: 近日,MEMC公司和Suntech公司就供应太阳能硅晶片项目达成最终约束性协议。双方此前曾在7月6日就此项目签署了一份非约束性意向书。 协议规定，MEMC (St. Peters, 密苏里州)将从2007年第一季度开始向这家中国公司Suntech以预定价 ...... | 2006年8月19日 | 517 |
| 8.英特尔与美光共创50纳米4Gb容量NAND闪存 简介: 最近，英特尔和美光公司(Micron Technology Inc)推出采用50纳米工艺制造的4Gb容量NAND闪存样片。据美光表示，该器件由两家公司的合资企业IM Flash Technologies LLC生产。 就在几天前，三星电子宣布已经开始量产8 ...... | 2006年8月19日 | 477 |
| 9.特拉华大学工程师利用微光机械系统，解决DLP问题 简介: 美国特拉华大学的工程师近日宣布，他们解决了妨碍数字光处理器(DLP)在功率敏感的领域获得普及应用的功率问题。 DLP通常采用微机电系统(MEMS)来控制微透镜阵列的角度。然而，对于像空间探测这样的功率敏感应用，即使调整微透镜倾斜度的微放大器，其功耗都大到让DPL无法使用。 今年美国国家科学基 ...... | 2006年8月16日 | 414 |
| 10.杜邦在台湾成立半导体材料技术中心，致力于加快台湾地区新技术的发展 简介: 日前,作为在半导体材料市场获得长期发展的战略计划的一部分，杜邦电子科技 (DuPont Electronic Technologies) 已经在台湾的新竹市科学工业园区 (Hsinchu Science Park) 建立了一个半导体材料技术中心 (Semiconductor Materials Technical Center)。 &nbs ...... | 2006年8月15日 | 311 |
| 11.伦敦筹资助力ReneSola太阳能晶片三甲目标 简介: 日前，回收硅晶片生产太阳能电池板的浙江昱辉阳光能源公司（ReneSola）在伦敦的选择性投资市场（Alternative Investment Market，AIM）首次上市就筹得资金5000万美元。ReneSola计划使用这笔资金来扩大产量，以期能在明年将销售额翻两番。 ReneSola成立仅一年市值就达到了1 ...... | 2006年8月15日 | 308 |
| 12.GE、BP联手投资氢气发电项目 简介: 日前，英国石油（BP）称已经和通用电气（GE）着手联合开发并部署氢气发电项目，以期减少发电所产生的二氧化碳排放。 BP表示，在可以预见的未来，世界将继续使用大量的化石燃料，比如天然气和煤炭等用来发电。然而，现在技术的进步使得企业能够以清洁的途径生产电力，如通过从化石燃料中制氢，收集二氧化碳并将其埋存在地层深处。为了促进这项技术 ...... | 2006年8月15日 | 293 |
| 13.意法半导体推出新硬盘磁头前置放大器,具有极低功耗 简介: 意法半导体日前推出磁盘直径小于2.5英寸的小型驱动器专用的新一代硬盘磁头前置放大器。近零功耗(NZP)系列产品因功耗极低而得名，新器件是ST面向公开市场的新一代ULP(超低功耗)系列产品，新产品具有极低的功耗表现，数据速率比上一代产品高五倍。 片直径小于2.5英寸的磁盘驱动器目前几乎是M ...... | 2006年8月14日 | 549 |
| 14.NEC成功开发3芯片封装的处理器 简介: NEC电子开发成功了把便携设备的核心功能集成在一个封装内的应用处理器。在一个封装内封装了3枚芯片，集成有图像及音频处理的DSP内核和CPU内核的LSI、USB2.0和ATA等接口的LSI以及电源LSI。将在2006年9月开始样品供货，样品价格为3000日元(约25.7美元)，预定06年底开始量产。 封装尺寸为14m ...... | 2006年8月13日 | 468 |
| 15.三星携手移动燃料电池供应商，应对“能量缺口” 简介: 日前，韩国三星电子宣布与美国MTI MicroFuel Cells Inc.结成独家联盟，以扩大手机领域竞争优势。后者是美国的一家初创公司，是用于移动应用的微型燃料电池供应商。 根据协议，MTI Micro将为三星的手机业务开发下一代燃料电池原型。MTI Micro的直接甲醇燃料电池(DMF ...... | 2006年8月12日 | 484 |
| 16.面向移动设备，NEC推出尺寸极小的功率MOSFET 简介: 近日，NEC推出尺寸极小的低压MOSFET μPA2350和μPA2351功率MOSFET，与业界传统8引脚TSSOP双N沟道器件相比，其尺寸减小了86%。该器件大小仅为1.62mm×1.62mm×0.48mm，可以缩小锂离子电池块的尺寸，适合手机、数码相机和其它移动设备的小型化发展趋势。 &nb ...... | 2006年8月11日 | 272 |
| 17.收购光学检测公司,西门子扩张其3D检测系统 简介: 西门子自动化与驱动集团近日宣布收购德国的Opto-Control Elektronik Prufsysteme公司。这次收购将使西门子把高精度自动光学检测系统融入到自己的Siplace表面贴装技术业务中来。Opto-Control公司的技术领先级检测系统是全自动的，使用最新的3D感应技术来以极速检测任何焊接或者布置缺陷。 &nb ...... | 2006年8月10日 | 480 |
| 18.美国芯片设备制造商欲在南韩建掩膜厂 简介: 美国半导体设备制造商Photronics Inc.公司计划在南韩中部投资3亿美元，建一座掩膜生产厂。日前，忠清南道（South Chungcheong）政府发言人说道。 光掩膜是半导体和LCD面板电路设计的一个重要部分。新厂位于天安市（Cheonan），占地约33,285平方米， ...... | 2006年8月10日 | 288 |
| 19.占板空间更小的达林顿（Darlington）晶体管 简介: 生产商： Central Semiconductor Central Semiconductor 产品说明： CMLT6427E 达林顿晶体管采用表面贴装的PICOmini SOT-563封装，比采用SOT-23封装的器件减少62%的占板空间，厚度减少了40%。 CMLT6427E是一款40V、0.5A的NPN达林顿 ...... | 2006年8月9日 | 879 |
| 20.采用HD DIP封装的肖特基桥式整流器 简介: 生产商： Central Semiconductor Central Semiconductor 产品说明： 40V CBRHDSH1-40L和CBRHDSH2-40肖特基桥式整流器采用表面贴装HD DIP封装，比SMDIP表面贴装封装小57%，占据的电路板面积小60%。这些器件适用于需要小信号全波桥式整流的电池供 ...... | 2006年8月9日 | 697 |
| (1010条/共51页) 首页 [5] [6] [7] [8] [9] [第10页] [11] [12] [13] [14] [15] 下十页 尾页 | ||
|
|