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| 1.可捕捉OC-768信号的模块 简介:泰克公司CSA8000B 通信信号分析仪的两个取样模块将该分析仪的测量功能扩展至40Gb/s 的RZ（归零）信号 和NRZ（非归零）信号领域。第一个模块(80C10)被称为光干涉接收器，它具有可预测的归一响应，从而有可能对高速光纤设备进行生产测试。除符合OC-768/STM-256 (39.018 Gbits/s) 标准外，该单通道模块也支持ITU-T G.709前向纠错(FEC)标准。你可以在1310 nm～1550 nm波长范围内使用该模块，但它只在1310nm和1550nm波上(±20 nm)上具有校准的响应。80C10模块的应用包括消光率测量、光信号分析和RZ 脉冲的一致性测试。 ...... | 2003年1月22日 | 991 |
| 2.可区分发射类型的EMC分析仪 简介: 传导辐射既有差模发射又有共模发射。EMI（电磁干扰）辐射标规定了一个产品可以施加在其交流电源上的传导辐射的总数量，但并没有区分这两类发射量。然而知道发射总量中哪一类发射占主导地位有助于你查找产品故障，并可为产品选择合适的交流电源滤波器。 ESA-2000型EMC分析仪可让你区分交流电源中的差模传导发射和共模传导发射，而且它还能分析辐射发射。它覆盖的传导发射带宽从10 kHz～30 MHz ，辐射发射带宽为30 MHz～1.1 GHz 。它还包含有用于发射分析的峰值检波器、准峰值检波器和和平均值探波器。 EMS 2000 需要一个运行Windows系统的外部PC。它通过一个标准的 ...... | 2003年1月22日 | 986 |
| 3.SoCBIST 为设计流程增加了逻辑BIST 功能 简介: Synopsys公司业已宣布用DFT Compiler SoCBIST软件打入逻辑BIST(内置式自测试)市场。该软件具有决定性的逻辑BIST功能。与全扫描技术相比，SoCBIST在保持扫描的高故障覆盖率的同时，将测试时间缩短十分之九以上，并将测试数据量减少到原来的1/100～1/400。此外，SoCBIST 需要20以下的ATE引脚，并且其所需的向量存储空间少于全扫描技术所需存储空间的1%。 SoCBIST将扫描测试输入数据编码为种子、扫描结果数据编码为信号，从而支持待测试设备中的多个内部扫描链。SoCBIST是Synopsys公司的单次测试－综合流程的扩充，可透明地集成在Syno ...... | 2003年1月22日 | 931 |
| 4.通过IP发送模拟视频 简介:2412型编解码器可按照UDP (用户数据报协议)和 RTP (实时协议)以太网规范将PAL或NTSC 模拟视频信号转换为MPEG2基本流。以解码模式工作时，该编解码器将以太网数据流转换为复合视频信号的S视频信号。这种单通道2412 编解码器是一种由三块电路板组成的PC/104系统，配有Linux 和 Apache 网络服务器。Linux软件支持多点传播并包含了一个网络路由器。该编解码器的RS-232端口提供摇摄全景信号、变焦距信号和倾斜信号。可选择将该编解码器扩展至四通道的主板;并可选择支持IEEE 1102.11b无线局域网提供支持。 一个与Windows兼容的快速流数据播放器能显示241 ...... | 2003年1月22日 | 1055 |
| 5.高温额定式超快输出二极管 简介: 生产商： 国际整流器公司(IR) International Rectifier(IR) 产品说明： 新的额定工作温度为175℃ 的70A、200V超快二极管70CRU02，转换性能经优化，适用于高频转换及输出整流器应用，如焊接、开关式电源(SMPS)及功率转换。 70CRU02在全额定电流下，具有26ns的逆恢复时间。快恢复速度的输出二极管有助提高电源效率，缩小器件尺寸，减轻重量并降低电源电路成本。另外，在大多数应用中，缓冲器电路可以被最小化或省去，节省空间并降低成本。 ...... | 2002年2月22日 | 803 |
| 6.适用于低压的N沟道MOSFET 简介: 生产商： Zetex Semiconductors 产品说明： 适用于低压开关应用的N沟道HDMOS系列MOSFET的最高漏极电压可以达到30V，起始电压为0.7到1V。其他技术规范还包括：栅极电荷的额定值为3.4到16 nC，密勒电容为30 pF。 导通电阻的变化范围是40到180 mΩ。该产品采用SOT-23和MSOP两种封装。 ...... | 2000年12月8日 | 1441 |
| 7.无引脚场效应管缩小体积、减小导通电阻 简介: 生产商： Vishay Intertechnology 产品说明： ChipFET功率MOSFET声称是业界第一个无引脚、1206规格表面安装封装的、占用面积只有3.05×1.80mm的器件，这样小的外形尺寸可使设计者将蜂窝电话和笔记本电脑的电源管理电路的占用空间减小一半。 另外，和TSOP-6封装的功率MOSFET相比，该产品的导通电阻减小了35%，而功耗减少25%。例如，N沟道Si5404DC的导通电阻最大为30 mΩ，功耗为2.5W。 该器件有8、20和30V三种型号，工作电压低至1.8V。既有单又有双 ...... | 2000年12月8日 | 1463 |
| 8.适用于笔记本电脑的30V MOSFET 简介: 生产商： 飞兆半导体 Fairchild Semiconductor 产品说明： 优化后的30V FDS6690A/FDS6670A N沟道MOSFET在最大12A的负载电流下可提供高的效率。当栅源电压VGS等于4.5V时，FDS6690A高端MOSFET的RDS(on)为0.017Ω，当VGS等于5V 时，栅极电荷为17 nC。 FDS6670A低端MOSFET，当栅源电压VGS等于4.5V 时，RDS(on)为0.008Ω，当VGS等于5V 时，栅极电荷为35 nC。另一对管FDS6612A/FDS6680 ...... | 2000年12月8日 | 1251 |
| 9.快速启动MOSFET 简介: 生产商： Vishay Intertechnology 产品说明： 快速启动MOSFET ----Si4501DY和Si4500DY功率MOSFET的特点是能从低功耗下的待机模式迅速启动，同时成本低廉。这些器件中包含外部连接的互补n和p沟道元件，以SO-8形式封装。 ----Si4501DY在4.5V栅驱动电压下的n沟道部分导通电阻为18mΩ，p沟道部分为42mΩ。Si4500DY相应的电阻值为30mΩ和65mΩ。（100000只起每只0.57美元，接单后8至10周供货。） -- ...... | 2000年11月9日 | 1150 |
| 10.功率MOSFET的RDS（on）再创新低 简介: 生产商： 国际整流器公司(IR) International Rectifier(IR) 产品说明： 功率MOSFET的RDS（on）再创新低 一些用于笔记本电脑和移动电话的器件的RDS（on）比业界标准低80% ---- SOIC封装HEXFET功率MOSFET系列增加了十种新产品，其导通电阻RDS（on）较业界标准大大降低，最多可达80%。 ----用于笔记本电脑和蜂窝电话的 7663和IRF7555的RDS（on）值分别比业界标准降低了77%和80 ...... | 2000年11月9日 | 1632 |
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