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| 导航:老古开发网首页→文章索引 →文章分类→存储器 →第9页 |-文章搜索- 最新文章 -| | ||
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| 1.盛群半导体二款大容量串行EEPROM应用广泛 简介: 盛群半导体日前推出二款大容量串行EEPROM，用于高分辨率电视(HDTV)、数字电视、机顶盒(STB)、无线鼠标、无线网络卡、ADSL、网络电路及其它消费性产品。 盛群的串行式EEPROM系列提供I2C及3-Wire接口，新产品型号为HT24LC32及HT93LC86，加入此二款新产品后，盛群的EEPROM系列产品线由1K至64K都有产品，可满足客户不同应用的需求。 HT24L ...... | 2006年5月4日 | 385 |
| 2.磁盘驱动器组织发力存储标准改进 简介: 国际磁盘驱动器、设备和材料协会IDEMA日前表示，一个由会员组成的委员会推荐，用扇区储存4096字节的标准取代长达30年之久的512字节的扇区长度标准。 IDEMA美国执行总监Ed Grochowski博士汇报说，采用4K字节扇区长度推动硬盘驱动器数据密度的进一步增加，这将增大用户的储存容量，同时持续减少每千兆字节的成本。 IDEMA委员会成员、日立公司的Martin Hass ...... | 2006年5月2日 | 481 |
| 3.基于LINUX的嵌入式网络存储器设计 简介: 1、硬件设计 硬件设计方框图如图1所示。 从图1可看到，除CPU单元以外，网络存储器的实现主要包括两个部分：I/O ...... | 2006年5月1日 | 554 |
| 4.三星量产70纳米OneNAND 读取速度108MB/秒 简介: 新浪科技讯 4月4日消息，据韩国媒体报道，三星电子的70纳米OneNAND正式投入批量生产，闪存规格为1Gb(64MB)。 继去年5月投产70纳米NAND闪存之后，三星电子在OneNAND上也采用了70纳米工艺，有望进一步提高存储器产品群的差别化并降低成本。 ??? OneNAND闪存将NAND闪存、静态存储器和逻辑集成电路整合在单独的一枚芯片上，多用于手机和媒体播 ...... | 2006年5月1日 | 473 |
| 5.英特尔将推65nm手机闪存 手机存储量增一倍 简介: 2007年，采用英特尔公司的超密集NOR闪存芯片制造的移动电话可存储的照片数可能是今天的两倍。英特尔将采用65nm技术实现这种超密集芯片。与标准的90nm闪存相比，65nm芯片不必堆叠两个芯片，可在单个存储层上存储1Gb数据。英特尔公司称，今年第四季度交付这种代号为Capulet的闪存样品，并称将至少比竞争对手Spansion和三星电子提前半年。按照这样的交付计划，65nm闪存的推出与 ...... | 2006年5月1日 | 488 |
| 6.受DDR2拖累，DDR3普及时程延至2009 简介: 据市调公司DRAMeXchange报告，受到DDR2量产初期工艺问题及成本居高不下，导致DDR2进军PC市场时程延宕等因素影响，新一代DDR3内存在PC市场成为主流的时程也将延后，预计2009年才有机会成为市场主流。 该机构指出，2005年第四季，DDR2产出量比例仅30%，预估2006第二季才会超越50%。若以此推估DDR3的进度，预期2006年下半年才会有更多DRAM厂进入工程样 ...... | 2006年4月30日 | 363 |
| 7.英特尔将推65nm手机闪存 存储量增一倍 简介: 2007年，采用英特尔公司的超密集NOR闪存芯片制造的移动电话可存储的照片数可能是今天的两倍。英特尔将采用65nm技术实现这种超密集芯片。与标准的90nm闪存相比，65nm芯片不必堆叠两个芯片，可在单个存储层上存储1Gb数据。英特尔公司称，今年第四季度交付这种代号为Capulet的闪存样品，并称将至少比竞争对手 ...... | 2006年4月29日 | 429 |
| 8.盛群推出二款大容量串行EEPROM 可满足客户不同应用的需求 简介: 盛群的串行式EEPROM系列提供I2C及3-Wire接口，新产品型号为HT24LC32及HT93LC86，加入此二款新产品后，盛群的EEPROM系列由1K至64K全员备齐，可满足客户不同应用的需求。 HT24LC32为两线式串行接口，总共有32K位内存容量，工作电压为2.4V至5.5V，内存架构为4096×8位，其最大工作和待机电流分别为5mA和5uA，最快工作频率为40 ...... | 2006年4月28日 | 406 |
| 9.Cypress推出QDR™II+及DDRII+SRAMs系列样片 提高网络通信应用 简介: 赛普拉斯半导体公司宣布其已开始提供业界首款Quad Data Rate™ II +(四倍数据率II+)和DDRII+（双倍数据率II+）SRAM系列器件样片。该新型存储器芯片提供了全球最高密度和最高带宽，比现有的QDRII 和DDRII产品的系统级带宽提高50%之多。这些新型存储器将加速各种数据密集型应用的读写功能，其中包括交换机、路由器、服务器、存储设备、无线基站和测试设备等。 ...... | 2006年4月27日 | 385 |
| 10.具有32kB闪存MCU有效整合实时时钟 简介:Silicon Laboratories推出新型C8051F41x 系列微控制器（MCU）产品，把32kB闪存以及包含SmaRTClock和故障保护复原功能在内的各种高效能模拟外设整合至精巧的5mm × 5mm封装之中。C8051F41x还能通过芯片内置的可编程稳压器灵活地提供2 V~5 V的电压供应以及最高承受5V的独立I/O电压控制。 Silicon La ...... | 2006年4月25日 | 502 |
| 11.512MB闪存针对无线应用进行优化 简介:Spansion 公司推出了一款新型512MB NOR闪存，采用了其高性能MirrorBit 90nm技术，专为无线应用进行优化。这款512MB的闪存产品利用一个基于XIP的解决方案来完善 Spansion公司的 MirrorBit ORNAND 数据存储技术，是该公司MirrorBit WS系列的产品之一。WS系列可以与MirrorBit ORNAND技术结合，为代码和数 ...... | 2006年4月25日 | 456 |
| 12.东芝拟增加NAND闪存产量 修建新工厂 简介: 东芝公司于近日表示，将修建一座新工厂，以扩大MP3音乐播放器和其它消费电子产品中使用的闪存芯片产量。 据法新社的报道称，东芝拟修建的新工厂将位于日本名古屋附近的四日市，其主要是在东芝现存的工厂基础上进行扩建。东芝的美国合作伙伴SanDisk公司也将在东芝的新工厂中进行投资。 东芝公司与SanDisk公司 ...... | 2006年4月24日 | 311 |
| 13.μClinux下SDRAM数据交换区的生成和使用 简介: 引言 数据交换区是指程序执行中使用到的各种数据所存放的内存空间。本文提出了在μClinux操作系统下为嵌入式工业网络服务器开辟数据交换萄思想和解决方案。嵌入式工业网络服务器项目的开发目的是构建一个以Client/Server模式工作的工业 ...... | 2006年4月22日 | 465 |
| 14.XILINX推出667Mbps DDR2 SDRAM接口解决方案 简介: 赛灵思公司日前宣布，推出基于Virtex-4 FPGA的667Mbps DDR2参考设计，该参考设计提供了FPGA业界高带宽最、高可靠性的内存接口解决方案。赛灵思667 DDR2-SDRAM接口采用了Virtex-4 ChipSync技术，这是一种运行时校准电路，可以提高设计余量和整体系统可靠性，同时缩短设计周期。 Virtex-4 FPGA将臆测清除出内存接口设计，使系统设计师能够 ...... | 2006年4月21日 | 466 |
| 15.QuickLogic的QuickIDE桥接控制器成为Intel处理器的配套器件 简介: QuickLogic今天宣布，将其最新的QuickIDE桥接控制器与日立环球存储科技(Hitachi GST)的一英寸Microdrive硬盘驱动器整合，向基于Intel处理器的便携消费电子产品推出完整的大容量存储解决方案。 日立新推出的Microdr ...... | 2006年4月21日 | 438 |
| 16.通用存储之梦还在继续? 简介: 多年来，半导体产业耗费大量精力研究所谓的“通用”存储技术，这种技术能够在断电情况下保存数据，具有快速、廉价等优点，还兼具充足的存储密度等特性，能够替代统治如今近500亿美元存储市场的DRAM、SRAM和闪存等技术。 由于没有统一的通用容量或性能要求，系统设计师们致力 ...... | 2006年4月17日 | 319 |
| 17.SanDisk搅局 高速SIM卡协议表决推迟 简介: 美国Sandisk公司在最后一分钟上交的专利（包括USB和MMC）声明，迫使标准组织不得不推迟对于高速SIM卡协议的投票。 为智能卡制定硬件标准的欧洲通信标准组织ETSI，上周计划就是否在把USB或MultiMediaCard技术引入 ...... | 2006年4月15日 | 406 |
| 18.ACT/Technico发布首个可删除PMC存储解决方案 简介: ACT/Technico公司日前推出一款PMC存储解决方案ShuttleStor，该产品无需卸掉主机板即可实现数据删除。 PMC ShuttleStor是一种两部分夹层组成的含有传输与接收的存储设备，能安装在主机板上，允许通过主机前端面板插入和拔下传输部分。该产品支持7mm和9.5mm的旋转和固态ATA硬盘，可用于操作系统升级和车辆或系统文件删除等应用，可简单地卸掉现有的驱动器并将该 ...... | 2006年4月7日 | 375 |
| 19.飞利浦0.14微米嵌入式闪存/EEPROM量产，应用广泛 简介: 飞利浦日前宣布其0.18微米CMOS嵌入式闪存/EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，其0.14微米嵌入式闪存/EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。 飞利浦称，嵌入式闪存和EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。它不但提供了在生产线上用不同的软件对这些芯片进行编程或进行 ...... | 2006年4月6日 | 362 |
| 20.ARM发布静态存储控制器，提供灵活全面的存储接口 简介: ARM公司日前发布了一系列全新的PrimeCell AMBA 3 AXI静态存储控制器，以此全面支持新的和即将出现存储设备，包括NAND闪存、 NOR闪存, SRAM和高性能仿静态RAM(CellularRAM)设备。 PrimeCell AXI静态存储控制器向设计师提供了单一的IP解决方案，用于使用了CellularRAM和闪存的系统。结合了现有的支持DDR和移动DDR的Prime ...... | 2006年4月6日 | 446 |
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