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| 1.Intel称闪存技术将淘汰 2010年被OUM取代 简介: 据外电报道，英特尔闪存部门战略策划经理Greg Komoto日前表示，到2010年，当前的闪存技术将逐渐被相变存储OUM所取代。 据英国媒体报道，Komoto日前表示，英特尔始终认为，与MRAM和FeRAM技术相比，Ovonic统一存储（OUM），即相变存储，是闪存的最佳替代品。 最初，OUM由英特尔和Ovonyx联合开发。2000年，英特尔入股Ovonyx。此 ...... | 2006年4月4日 | 377 |
| 2.牛津半导体双SATA存储控制器吞吐速度达80Mbps 简介: 牛津半导体公司(Oxford Semiconductor)近日发布了具有加密功能的可配置USB/Firewire双SATA存储控制器OXUF924DSE。该产品能够帮助外部存储制造商向用户提供稳定性极高的数据保密存储。该款控制器通过整合硬件实现来加密，因此能够使数据吞吐速度保持在80Mbps这样较高的水平上。 OXUF924DSE控制器可连通双SATA磁盘和USB2.0接口以及Fir ...... | 2006年4月4日 | 380 |
| 3.内存芯片封装技术的发展 简介: 随着计算机芯片技术的不断发展和成熟，为了更好地与之相配合，内存产品也由后台走出，成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分，内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技术，采用不同封装技术的内存条，在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。 ...... | 2006年4月3日 | 480 |
| 4.NAND vs NOR：火爆与理智 简介: 英特尔和美光投资50亿美元共建NAND闪存制造合资企业 2005年11月22日，通过与美光科技公司联盟共同投资50亿美元巨资兴建一家新的合资制造公司，英特尔突然高调进入火爆的NAND闪存市场。 &nbs ...... | 2006年4月1日 | 326 |
| 5.三星SanDisk闪存卡价格战升温 1GB22美元 简介: 移动存储市场近年来一直颇受人们关注，其中，自2002年开始大行其道的闪存盘一直是媒体关注的焦点，并占据了移动存储市场大部分份额。但是，根据最新的统计表明，2005年全国移动硬盘销售量同比增长达40%，全年销售额已超过了12亿元——移动硬盘已经成长为一支令人刮目相看的存储劲旅。 移动硬盘作为 ...... | 2006年4月1日 | 340 |
| 6.海派世通超越闪存控制器产品线，IIC上推广网络处理器 简介: 随着数码相机、数码摄像机以及多媒体手机对存储数据的需求提高，容量大、体积小的各种闪存卡成为数码产品消费者的必备。在本届IIC展上，海派世通公司展示了新型控制器产品和用于拓展产品线的网络处理器。据该公司的业务部协理陈弘道先生介绍，目前该公司在全球约4亿颗的闪存控制器市场总占有一成的份额，其中CF卡存储器占有全球两成的CF卡存储器市场份额。 高端CF卡和SSD的Hyperstone F3 ...... | 2006年4月1日 | 627 |
| 7.国半推出信号抖动少、静电释放保护能力高的LVDS缓冲器 简介: 美国国家半导体公司宣布推出一款封装小巧、可减少信号抖动的缓冲器，为该公司的一系列先进的低电压差分信号传输(LVDS)产品添加更多选择。 美国国家半导体的DS90LV804是一款4通道的LVDS缓冲器，可在0至800Mbps之间的速率传输数据。由于传输速度范围广阔，因此适用于主流的多插卡设计或其他多机箱的设计。这款缓冲器芯片可提供高达15kV的静电释放保护，让FPGA、特殊应用集成电路 ...... | 2006年4月1日 | 446 |
| 8.OUM超越MRAM和FeRAM独领风骚，现有闪存技术可撑至2010年 简介: 英特尔公司日前预计指出，当前的闪存技术能维持到2010年，直到2010年才将出现对“通用存储器”的要求。这是英特尔闪存组战略规划经理Greg Komoto日前在英特尔开发商论坛(IDF)上所表示的。 Komoto称，英特尔依然认为双向通用存储器(OUM)，也称为相变存储器，是最有前景的非易失性存储器替代者，超越了另两类潜在替代者--磁性RAM(MRAM)或铁电RAM(FeRAM)。 ...... | 2006年3月30日 | 537 |
| 9.为嵌入式应用构建黑盒子 简介: 有人认为要是您在凌晨三点最终发现了困扰您多日可又一直找不到的程序错误，那真是再没有比这更高兴的编程经历了。请注意，我们的开心源于找到了漏洞，而不是解决问题。这是因为您一旦真正了解了为什么会存在程序错误，那么纠正错误就是一件小事了。如果您过去用了错误的方法，那么现在就要用正确方法;如果您的输入有误，现在就可以进行整理;如果您 ...... | 2006年3月29日 | 451 |
| 10.从新闪存技术窥视消费电子辉煌未来 简介: 嵌入式设备在非挥发性存储方面正大量使用闪存，NOR还是NAND？这是个值得思考的问题。 考虑到可靠性、读取操作速度和随机访问能力，设备开发商们通常会选用NOR闪存来存储可执行代码，包括启动代码、操作系统以及一些很少修改的数据等。而考虑到存储密度/存储容量、复写寿命、写速度以及成本，NAND则成为了需要存储大量数据的设备的首选。当二者兼顾时，人们甚至会考虑让二者合作。 从嵌入式设 ...... | 2006年3月29日 | 576 |
| 11.牛津半导体推出USB/Firewire双SATA存储控制器 简介: 牛津半导体公司(Oxford Semiconductor)近日发布了具有加密功能的可配置USB/Firewire双SATA存储控制器OXUF924DSE。该产品能够帮助外部存储制造商向用户提供稳定性极高的数据保密存储。该款控制器通过整合硬件实现来加密，因此能够使数据吞吐速度保持在80Mbytes/秒这样较高的水平上。 OXUF924DSE控制器可连通双SATA磁盘和USB2.0接口以 ...... | 2006年3月29日 | 495 |
| 12.IIC：闪存 PK 硬盘，从消费电子拓展到工业应用 简介: 凭借各自优势，闪存与硬盘在消费类电子产品中的竞争一直都非常激烈，目前两种器件的成本等价交迭点大约为2GB，也就是说在2GB以下的应用领域，基本上是Flash的一统天下。但是Flash的方案供应商似乎并不满足于此，在本次IIC展会上，来自台湾的宇瞻科技(Apacer)就着重向与会工程师介绍了其针对工业领域的嵌入式闪存解决方案。 “有不少工程师都对我们的方案表现了浓厚的兴趣。”宇瞻科技的 ...... | 2006年3月24日 | 536 |
| 13.Spansion ORNAND 1Gb闪存亮相，下半年推出3Gb产品 简介: Spansion日前正式发布系列无线解决方案，该方案将90nm MirrorBit ORNAND闪存与其NOR产品系列相集成，从而进入针对移动电话市场的NAND领域。据称，通过采用MirrorBit NOR执行代码和MirrorBit ORNAND存储数据，这些解决方案可以为多种移动电话提供完整的存储子系统，可在无线手持终端上支持具有DVD质量的视频、CD质量的音频和高达500万像素的照片 ...... | 2006年3月23日 | 457 |
| 14.为DDR-SDRAM度身定造高效功率管理芯片 简介: 引言 DDR-SDRAM，即双数据速率同步DRAM，简称DDR。DDR因其更为卓越的性能 (起初的数据速率为266MBps，后来提升至400MBps，而一般SDRAM只有133MBps)、更低的功耗以及更具竞争力的价格，已经在桌面和便携式应用 ...... | 2006年3月22日 | 641 |
| 15.单片机总线接口芯片及其ISA模式应用 简介: 1 引 言 PCI（Peripheral Component Interconnect）总线，即外围部件互连总线，是一种先进的高性能32／64位地址数据复用局部总线。PCI总线与处理器和时钟频率无关，可以提供高达132MB／s的数据传送速率; ...... | 2006年3月22日 | 966 |
| 16.DSP片外高速海量SDRAM存储系统设计 简介: 在数字图像处理、航空航天等高速信号处理应用场合，需要有高速大容量存储空间的强力支持，来满足系统对海量数据吞吐的要求，通过使用大容量同步动态RAM（SDRAM）来扩展嵌入式DSP系统存储空间的方法，选用ISSI公司的IS42S16400高速SDRAM芯片，详细论述在基于TMS320C6201（简称C6201）的数字信号处理系统 ...... | 2006年3月22日 | 585 |
| 17.FAT16文件系统格式说明 简介:硬盘上的数据按照其不同的特点和作用大致可分为5部分：MBR区、DBR区、FAT区、DIR区和DATA区。我们来分别介绍一下： （1）MBR区（主引导扇区） MBR（Main Boot Record）,按其字面上的理解即为主引导记录区，位于整个硬盘的0磁道0柱面1扇区。不过，在总共512字节的主引导扇区中，MBR只占用了其中的446个字节（偏移0--偏移1BDH），另外的64个字节（偏移1BEH- ...... | 2006年3月18日 | 2942 |
| 18.范谈Flash文件系统(二) 简介: Ⅱ .Flash 文件系统 有了 Flash 存储器，相应的应该有对应的系统来管理，于是有了 Flash 文件系统的出现。和常规的文件系统类似，我认为 Flash 文件系统地提出，至少需要实现以下几个特点： 1. 统一管理 Flash 存储器存储空间，实施存储空间的分配与回收 ...... | 2006年3月18日 | 2588 |
| 19.范谈Flash文件系统(一) 简介: 【摘 要】 本文主要简单介绍 Flash 文件系统，文中涉及 Flash 存储器基本特征，以及怎样利用 Flash 文件系统实现对 Flash 存储器的较好的操作管理功能。 【关键字】 Flash 存储器 Flash 文件系统 Ⅰ ...... | 2006年3月18日 | 2135 |
| 20.三星再拼内存 回头只因英特尔定单诱惑 简介: 年初全力冲刺NAND型闪存市场的誓言尤在,2月24日，三星电子突然宣布，将2-3万片NAND型闪存的月产能调拨回去生产DDRII，预计转产效能自4月起释放。 对于正在全力转产DDRII的台湾DRAM厂商而言，三星的回马枪无疑是一记当头闷棍。 赛迪顾问半导体咨询事业部副总经理李珂说，自去年第四 ...... | 2006年3月14日 | 354 |
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