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| 1.Dallas Semiconductor 1024位EPROM工作电压可低至2.2V 简介: Dallas Semiconductor推出一款工作电压可低至2.2V的1024位EPROM：DS25LV02。这款低电压芯片提供数据存储功能和一个序列号，可理想用于电池包。另外，DS25LV02是DS2502的升级产品，向下兼容现有的DS2502设计。DS25LV02的1024位EPROM配置为4个页面，每页包含32字节，可用于存储电池的特性参数、充电记录、电流和温度参数以及电池包制造商信 ...... | 2006年8月23日 | 593 |
| 2.英特尔AMD战火未歇 决战低端手机NOR闪存 简介: 8月7日消息，全球两大CPU厂英特尔（Intel）及AMD为刺激市场销售、扩大市占率，大幅调降CPU报价，双方战火尚未停歇，又进一步将战线燃烧到NOR型闪存（Flash）。内存业内人士表示，英特尔将推出1款超低成本的NOR型Flash，以应对低端手机的庞大市场需求，而Spansion（原AMD旗下Flash部门，2005年已分割独立上市）目前也不断扩大低制造成本Mirror b ...... | 2006年8月23日 | 206 |
| 3.英特尔发布90纳米闪存 破坏与ST协议？ 简介: 日前传来消息，欧洲芯片制造商意法半导体(ST)未参与英特尔最近发布的一系列NOR闪存元件，而且预计也不会成为这些元件的第二来源。意法半导体与英特尔之间就开发覆盖手机NOR闪存系统的规格达成过协议，这份协议于2005年12月宣布。该协议规定，两家公司应该提供基于这些共同规格的内存产品。 近日英特尔开始针对低成本移动电话应用推出封装引脚数较少的NOR闪存芯片样品，其容量大小包括32M ...... | 2006年8月23日 | 226 |
| 4.NDAS揭密：剖析NAS的替代品 简介: Ximeta的NDAS（网络直连存储）NetDisks价格低于“纯”NAS（网络连接存储）驱动器。它们将一部分处理负担转给与它们连接的PC。那么它的外壳里究竟包含什么？为什么它的组成部件不同于有更完整功能的替代品？ ...... | 2006年8月21日 | 604 |
| 5.ARM下一代DDR存储解决方案提高芯片性能 简介: ARM公司宣布扩展了其Artisan®物理IP系列产品中的Velocity™ DDR存储接口产品，以支持众多特定应用对SDRAM的要求。扩展后的ARM® Velocity DDR产品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC标准相兼容，并支持领先代工厂的130纳米、110纳米、90纳米和65纳米的标准CMOS工艺。 ...... | 2006年8月17日 | 475 |
| 6.英特尔美光合作展出首款50纳米工艺闪存样品 简介: 美国东部时间7月27日（北京时间7月28日）消息：英特尔与美光科技公司日前展出了一款据称是业界首款50纳米生产工艺下制作出来的Nand闪存产品的样品。 这款闪存样品是由美光科技公司与英特尔公司在一月份合资组建的IM Flash技术公司生产的。 两家公司都已经展出了4GB的产品，并计划在2007年开始批量生产。 IM Flash技术公司称，50纳米工艺技术开始投入批量 ...... | 2006年8月11日 | 206 |
| 7.三星电子面向微软Vista系统 推出4GB闪存硬盘 简介: 三星电子公司面向微软下一代操作系统Windows Vista，推出了一款容量高达4GB的闪存硬盘。 闪存硬盘与当前的硬盘相比，具有数据存储速度快而且断电后数据仍然保存的特点。三星公司此次推出的4GB的闪存硬盘，将整合到微软的Windows Vista系统上，利用微软的ReadyBoost技术，即混合硬盘技术，将重要数据储存在闪存中，以提高开机速度和效能。与使用Windows XP ...... | 2006年8月10日 | 230 |
| 8.FM20L08型铁电存储器的原理及应用 简介: 1 引言 在一些需要下位机单独工作的场合（如汽车行驶记录仪、高速存储测试设备等），其数据的高速存储和掉电不丢失尤为重要，Ramtron公司推出的FM20L08型非易失性铁电存储器除具有其他铁电存储器的一般特点外，弥补了已有铁电存储器存储量小的缺点，其数据存储量达1MB，可完全代替标准异步静态随机存储器（SRAM）。 2 FM20L08的特点和引脚功能 FM20L08型非 ...... | 2006年8月9日 | 470 |
| 9.三星“暂别”8千兆位NAND闪存，暗自发力4位/cell技术 简介: 据市场调研公司American Technology Research Inc.，三星电子已推迟8千兆位NAND闪存芯片的发货，但该公司正在悄悄地开发一种4位/cell NAND技术。 据American Technology Research Inc.，上述消息是三星在公布第二财季业绩时披露的，显示三星把8Gbit multi-level-cell (MLC) NAND发货期推迟了 ...... | 2006年8月3日 | 246 |
| 10.DDR SDRAM在嵌入式系统中的应用 简介: 引言 很多嵌入式系统，特别是应用于图像处理与高速数据采集等场合的嵌入式系统，都需要高速缓存大量的数据。DDR（Double Data Rate，双数据速率）SDRAM由于其速度快、容量大，而且价格便宜，因此能够很好地满足上述场合对大量数据缓存 ...... | 2006年8月1日 | 1038 |
| 11.基于WISHBONE总线的FLASH闪存接口设计 简介: 引言 随着半导体工艺技术的发展，IC设计者已能将微处理器、模拟IP核、数字IP核和存储器(或片外存储控制接口)集成在单一芯片上，即SoC芯片。对片上系统(SoC)数据记录需要低功耗、大容量、可快速重复擦写的存储器。常用的介质主要有：动态存储器（ ...... | 2006年8月1日 | 615 |
| 12.超薄微硬盘支持便携数据存储 简介: Cornice公司发布了其定位于手机/手持设备市场、全新的微硬盘系列产品。容量为8G/10G的微硬盘可以满足消费者对产品抗震性、耐用性以及低能耗的要求。所有音频/视频播放器、手机、智能手机、移动存储设备都可以应用该微硬盘产品。 “我们开始看到这样一种趋势，那就是消费者们已经准备下载丰富的个人内容到他们的手持设备上。这些下载内容从单纯的MP3音乐快速扩展到诸如照片、视频、私人 ...... | 2006年7月31日 | 511 |
| 13.基于CPLD的容错存储器的设计实现 简介: 随着各种电路和芯片的性能(速度、集成度等)不断提高，尤其是在军事、航空航天等用途中对可靠性的要求往往是第一位的，人们对于系统的可靠性方面的要求日益增加，这对电路系统的设计和制造都提出了严格的目标要求。 存储器是电路系统中最常用的器件之一，采用大规模集成电路存储芯片构成。实际统计表明，存储器在太空应用中的主要错误是由瞬态错误(也叫单个事件扰动，SEU)所引起的一位错[1]或者 ...... | 2006年7月26日 | 363 |
| 14.ST 推出AD MUX I/O系列产品 简介: 意法半导体（ST）宣布一个新的地址-数据多路复用输入/输出(AD MUX I/O)系列产品，这是一个专门为注重成本效益和价值的移动平台设计的全系列NOR闪存解决方案。 AD MUX I/O架构提出了数据地址共用引脚的概念，从而减少了存储芯片的引脚数量，进一步节 ...... | 2006年7月26日 | 448 |
| 15.三星GDDR4图形储存芯片量产 提高速度33% 简介: 据7月10日消息 日前据相关报道称，三星GDDR4图形储存芯片已经实现了量产，这款号称全球速度最快的图形储存芯片，将增加33%的速度同时减少45%的能耗。 据三星方面表示，该储存芯片安装在台式机、笔记本电脑和工作站上可时实现大量视频数据的转换，和GDDR3相比其速度每秒快了2.0Gb，而容量为512MB的产品可以提供32-bi数据总线配置。 对于此次三星GD ...... | 2006年7月25日 | 328 |
| 16.闪存价格暴跌70% 数字产品变“芯”在即 简介: 9元买128M闪存盘，160元买1G闪存……超出往年30%的跌价规律，今年闪存跌价幅度高达70%。而这，似乎只是市场变化的未雨绸缪，降价背后，是大容量闪存的出现以及数字产品变“芯”的强烈需求。 未雨绸缪： 闪存价格暴跌70% 日前，以闪存芯片为主体的MP3、MP4播放器价格一路暴跌。 “五一”节前还能卖到500元的MP3播放器，现 ...... | 2006年7月22日 | 439 |
| 17.SD最小microSD和大容量SDHC存储卡系列产品上市 简介: SD分别从7、8月份及9月份开始销售超小型存储卡—microSD存储卡和大容量的SDHC存储卡，作为SD存储卡的新系列。 microSD存储卡大约为miniSD存储卡的四分之一体积，是目前世界上最小的存储卡。随着搭载高像素相机功能及音乐播放器功能等的手机不断向小型化发展，便携式设备的可移动存储卡的市场需求越来越大。而且，microSD存储卡以SD存储卡规格为 ...... | 2006年7月22日 | 622 |
| 18.ISSI推出256K Bit和2K Bit EEPROM高性能芯片 简介: ISSI推出256K Bit EEPROM 两款高性能芯片. IS24L256和IS24C256A是又一款高度集成的电可擦除的可编程的存储器IC.具有高度的可靠性，优良的性能, 极大的降低了系统成本. 适用于HDTV, 视频设备, 能量仪, 车用引擎控制, 车载收音机, 机顶盒, 无绳电话和便携芯片等其它消费类电子产品. ...... | 2006年7月22日 | 505 |
| 19.瑞萨科技开发出有助于采用65nm工艺的嵌入式SRAM稳定运行技术 简介: 瑞萨科技公司宣布，开发出一种有助于采用65nm（65纳米）制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。尤其是，该技术解决了与门限电压（Vth）有关的诸如晶体管导通或关断时出现的边线电压的重要问题。 采用65nm工艺 ...... | 2006年7月14日 | 373 |
| 20.三星发布60纳米NAND闪存 写入速度提高一倍 简介: 6月28日消息 三星周二发布了它的首款60纳米NAND产品2Gb OneNAND芯片，该芯片持续读取数据速度为每秒108MB，持续写入能力为每秒17MB;如果把8片这种闪存芯片整合在一起，其写入速度可达每秒36MB。 据dailytech网站报道，英特尔4月份宣布了其首款70纳米OneNAND产品，但节点缩小到60纳米还使新OneNAND数据写入速度一下子由每秒9.3 ...... | 2006年7月12日 | 276 |
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