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用户开始可以利用IBM的生产线, 以多芯片投片方式制造SiGe芯片了
内容导读:
IBM公司(位于纽约州的Yorktown Heights)决定为小型企事业组织,以及大学,提供以SiGe工艺制作的多芯片晶圆投片服务。SiGe具有比硅高的迁移率,因此制成的晶体管工作速度快得多。

  多芯片晶圆投片,是在一个晶圆上制作多个不同的芯片,而不是制作多个同样的芯片。这样可以将投片的费用与风险分摊给好几个用户。为了使这个工艺技术能够为许多没有和IBM公司建立合作关系的组织机构服务,该公司与MOSIS组织(位于加州的Mariana del Rey)签定了协议,参加MOSIS的服务项目。

  MOSIS组织是南加州大学的一个服务机构。它为了共同投片制造某一种晶圆,将许多用户组织在一起;并且作为用户,和工具与服务的提供方之间的中间人,帮助用户实现芯片的设计与样片制作。MOSIS直接和许多用户签定协议,将许多个芯片设计制作成一套掩模版,然后安排到设立在佛蒙特州Burlington的IBM生产线上去投料制造样片。

  IBM公司还和Cadence公司(位于加州的Santa Clara)合作,共同提供全面的设计支持,包括成套的设计工具的安装,服务提供,以及成套的设计软件包的提供等。如果希望进一步从IBM公司了解更多的信息,请访问网址:http;//www.chips.ibm.com/support/howtobuy.html,;如果希望从MOSIS进一步了解信息,请访问网址;http://www.mosis.org。

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来源:今日电子 作者:Rodney Myrvvagnes 时间:2001/7/1 0:00:00
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