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ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM
内容导读:
    Integrated Silicon Solution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDR DRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V,采用4M×32构成机制,刷新率为8K,传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域,如网络和通信设备、HDTV、LCD TV、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。
    
     IS43R32400A采用144引脚FBGA封装,工作温度为0℃~70℃,购买一万片以上单价是每片4.5美元。现在可以提供样品,批量生产交货需要到2006年第二季度。
    
    

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来源:国际电子商情 作者: 时间:2005/12/27 0:00:00
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