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TaNFilm薄膜技术采用自钝化氮化钽，能制造在高温下具有长期稳定性和准确性的电阻元件。美国TT电子公司IRC先进薄膜分公司开发的这项技术可以制造在电信、航天和联网等微波应用中性能远远高于其他钝化膜技术的薄膜电路和混合衬底。

图7 TaNFilm薄膜技术制造适于微波频率的电阻元件

  防潮的氮化钽解决了标准镍铬铁合金技术存在的腐蚀问题。该技术能制造表面电阻在5～100Ω/sq之间的电阻元件。
电阻热系数在±10×10-6/℃，这种材料在70℃下的导热率为34.7Ω/m°K。该公司采用先进的光刻和等离子蚀刻工艺，能制作有镀层的孔、边缘终端和19μm的导体轨迹与间隙。
薄膜提供±0.015%的电阻容许偏差和±0.005%的比率容许偏差。薄膜衬底厚度有15、20和25mil等几种，电介质强度200V/μm。
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来源:今日电子 作者:Ralph Raiola 时间:2004/1/1 0:00:00