飞兆半导体公司推出11种新型MicroFET™ MOSFET产品，提供业界最广泛的的散热增强型超紧凑、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗应用，包括移动电话、数码相机、游戏机、远程POS终端，以及其它大批量的便携式产品。这些产品需要空间优化和为了延长电池寿命和保证可靠性而需要优秀的散热和电气性能。MicroFET功率开关结合飞兆半导体的先进PowerTrench® 技术和业界标准的模塑无铅封装 (MLP)，因此，较之于传统使用大型封装的功率MOSFET，MicroFET 器件在散热性能和节省空间方面有着显著优势。

　　飞兆半导体的MicroFET采用MLP封装，为设计人员带来全新的封装选择，即是在充电器、升压转换器、DC/DC转换器及负载开关应用中广泛采用的SSOT-6或SC-70器件封装之外。采用2x2mm MLP封装的MicroFET较3x3mm SSOT-6封装的MOSFET体积减小55%，同时具有更高的性能。例如，较之于典型的双P沟道SSOT-6 (9mm2) 器件，MicroFET (4mm2) 的 RDS(ON) 降低了17% (95 mΩ对比于115mΩ)、热阻降低16% (151°C/W对比于180°C/W (最小铜焊盘数值))。此外，与较大的3x1.9mm MLP器件甚至是类似的小型封装SC-70相比，MicroFET器件提供的散热性能和效率明显高出很多。举例说，与双P沟道SC-70器件相比，飞兆半导体MicroFET的RDS(ON) 低80%、热阻低65%。

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