位于美国加利福尼亚州圣尼维尔（Sunnyvale）的高密度存储器解决方案供应商MoSys公司近日取得了一项技术突破，使得传统SRAM的密度提高了三倍。这项被称为1T-SRAM-Q的独有技术，是专门针对不断增长的消费类产品的低功耗要求及高性能产品的高带宽要求而设计的，这些需求均要求采用更多的片上存储器。
这一突破性的研究成果基于该公司的面折叠电容器（FAC，Folded-Area Capacitor）技术，即把1T-SRAM栅极氧化物电容器沿着浅沟道隔离侧壁垂直折弯，以占用较少的芯片水平面积，进而达到减小位单元尺寸的目的。利用这种方法形成的0.50μm2和0.28μm2的较小位单元能够在采用0.13μm和0.09μm制造工艺的情况下分别实现容量高达128Mb和256Mb的嵌入式存储器的集成。
由于位单元面积的减小使得内部信号通路变短，由此可提高速度并降低功耗。采用该技术时只需在标准的逻辑电路制造过程中增加一道非关键性的掩膜工艺。而且，该附加工艺并未对晶体管的热特性提出新的要求，因此，与采用先前的1T-SRAM时相比，设计参数的变化并不很大。1T-SRAM-Q器件还采用了该公司独有的透明纠错（Transparent Error Correction）技术，该技术能够免除激光器检修（Laser Repair）之需，提高工艺成品率、可靠性，并降低软误差率。
四倍密度器件样品预计将于2003年第二季度供货，而批量生产有望于2003年晚些时候开始。如欲了解更多的信息，请与MoSys公司的Mark-Eric Jones联系，电话：001-408-731-1800，E-mail：mejones@mosys.com或访问该公司的网站，网址：http://www.mosys.com。
——David Suchmann
来源:今日电子 作者:David Suchmann 时间:2003/4/1 0:00:00
