| 加州大学工程学院和洛克卫尔科学研发公司的工程师开发了一种液体喷射冷却技术，这个技术能使LD-MOSFET晶体管和IGBT等小型电子器件获得更高的功率输出和效率。这项称为微喷射的技术与液体沉浸或强制对流等普通冷却技术相比，可以把输出功率从66W提高到84W，把功率增加效率提高34%。 
虽然喷射冷却目前已被用于较大的元件和整块电路板，但这项新技术首次把喷射冷却用于独立的芯片。研究人员以每分钟0.14升的速度把水从由28个水平孔和18个垂直孔组成的4.86mm×1.53mm的喷嘴喷射到500W功率放大器的芯片上，通过对流和蒸发给系统散热。
测试表明，在23W输入功率时，没有采用喷射冷却的LD-MOSFET开始出现问题，输出功率从72W迅速下降到65W。而采用喷射冷却的晶体管在34W输入功率时达到84W输出功率。
研究人员认为这项技术最适合雷达设备、飞机和电动机等温度很有可能上升到150℃的极端环境。研究人员还计划用比LD-MOSFET发热更高的宽带隙半导体做实验。有关喷射冷却的进一步信息，请洽加州大学媒体关系部David Brown，电话：310-206-0540，电子邮件：dbrown@ea.ucla.edu，或访问http://www.uclanews.ucla.edu。
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