Hynix Semiconductor近日表示，将投资2.30亿美元在无锡与ST Microelectronics的合资工厂边上兴建一座新工厂，生产DRAM和NAND Flash产品。

　　Hynix Semiconductor与ST Microelectronics在无锡投资建造的存储器前端制造工厂，主要生产针对中国半导体市场需求的产品，采用Hynix Semiconductor旧设备及生产工艺的第一条200mm晶圆生产线将于今年7月投入使用，而300mm晶圆生产线最快会在2006年底投产。

　　Hynix Semiconductor发言人表示，新建工厂除为了增加Hynix Semiconductor自有产能外，也将承担部分与ST Microelectronics合资企业的生产任务。