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奇梦达与南亚科技成功获得75纳米DRAM技术之验证
内容导读:

  奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75纳米 DRAM 沟槽式(Trench)技术之验证,最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2 内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已经在奇梦达的德累斯顿十二吋厂生产线开始此项新一代 DRAM技术之试产。

  采用75纳米技术的合格产品512Mb DDR2能够满足JEDEC定义的最高DDR2速度所需之效能需求,使用于高阶服务器和各种运算应用中,并展现出公司在75纳米之技术能力,可应用在未来的高速DRAM产品上。75奈米技术的推出,不仅对下一代之效能需求非常重要,亦可进一步改善奇梦达和南亚之成本架构。和之前的90纳米技术相比较,75纳米之制程架构亦可进一步缩小芯片尺寸,因此,每一片晶圆将会多增加40%之产出。

 

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来源:EDN电子设计技术 作者: 时间:2006/9/21 0:00:00
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