Atmel和法国原子能委员会(CEA)运作的电子应用研究实验室Leti日前宣布就闪存中采用的硅“纳米晶体”技术达成一项合作协议。合作的首项成果预计在2006年年底前公布出版。

　　该项目开发的硅纳米晶体技术将被集成到Atmel目前已展开的下一代非易失性存储器研发项目Erevna中。该项目的总体目标是研制出130nm、90nm和65nm节点的非易失性和嵌入式存储器，2009年可实现商用。

　　纳米水晶硅用晶体断层来存储电荷，据称是推动闪存发展的一种方式，但可能由于电荷泄漏而在缩放时出现问题。常规浮动门闪存包含多晶硅沉积层，以维持电荷。随着进一步缩小，避免出现使电荷泄漏的缺陷变得日益困难。通过转向大约600个或相当的纳米水晶，每个直径大约为50埃，位单元获得了浮动门层断裂的免疫能力。