据Semiconductor Reporter网站报道，IBM与Georgia理工大学近期宣布，在-451°F(4.5K)的冷却环境下，硅基地芯片可以实现500GHz的工作频率。

IBM表示，计算机模拟结果显示，基于SiGe技术的芯片在室温下甚至可以实现1THz的工作频率。

该项目研发人员包括Georgia Tech博士生Ramkumar Krithivasan和Yuan Lu、韩国大学的Jae-Sun Rieh、IBM微电子部门的Marwan Khater、David Ahlgren和Greg Freeman。该项目获得了IBM、NASA和Georgia理工电子研发中心(GEDC)的资助。

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