---Infineon Technologies公司（位于德国慕尼黑）的工程师成功测试了一种先进存储缓冲器（Advanced memory buffer, AMB）测试芯片，这种芯片面向采用DDR2 DRAM的下一代服务器模块。作为全缓冲双列直插式存储器模块（FB-DIMM）的核心部件，AMB有望成为服务器存储器的下一个标准。
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---现行存储器模块采用的是总线并行直接存取的方式（多站总线架构）。FB-DIMM通道架构在存储控制器与通道的第一个模块之间及该通道的后续模块之间引入了点对点连接。这使得总线负载与DRAM I/O的速度无关，并利用高速DRAM实现了高存储容量。
---AMB芯片对进出DRAM的数据进行收集和发送，在内部实施数据缓冲，并与下一个DIMM或存储控制器进行数据的接收或转发。FB-DIMM将主要用于具有巨大存储容量要求的服务器。
---对于DDR2 800，正在制定中的JEDEC标准规定每个I/O引脚所要求的最大数据速率为4.8Gb/s。Infineon的AMB测试芯片的运行速度已达6.0Gb/s，提供了相当大的系统性能储备空间。
---面向DDR2 DRAM的FB-DIMM工程样品计划于2004年第四季度推出，上市时间将在2005年下半年。更多信息请与Infineon Technologies公司的Christoph Liedtke联系，电话：408-501-6790，电子信箱：christoph.liedtke@infineon.com，或登录http://www.infineon.com网站。