据EE Times网站报道，韩国海士力半导体公司近日宣布已经开始量产80nm工艺的512Mb DDR2 DRAM芯片。

公司表示，80nm技术现已应用到512Mb DRAM产品中，这使得公司的生产能力提高了50％，并超过了现有的90nm生产线。

80nm DRAM产品的量产将会大大促进公司进一步开发60nm DRAM产品，公司新闻发言人表示。

相关链接（英文）:http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=190500495