据电子资讯时报网站报道，整合嵌入式存储器成为晶圆代工厂最“in”新趋势！继台积电、联电提供存储器代工整合服务之后，近期东南亚晶圆代工厂也纷纷给出解决方案。马来西亚Silterra于24日宣布与力晶旗下转投资力旺签订专利授权协定，提供0.13微米至0.18微米工艺晶圆代工;同时，新加坡特许(Chartered)也已悄悄布局嵌入式Flash方案。晶圆代工业者纷纷投入嵌入式存储器领域，正为走向SoC作准备。

台积电与SST的SuperFlash合作，从0.19微米跨入90纳米工艺，成为目前拥有最先进嵌入式存储器解决方案的晶圆代工厂。同时，由于台积电过去90纳米工艺嵌入式DRAM工艺进展大幅超前，因此预计嵌入式DRAM生产线10月起将跨入65纳米工艺技术。

Silterra与力晶旗下转投资力旺签订专利授权协定，双方已就逻辑非挥发性存储器(one-time-programmable;OTP)达成授权共识，未来Silterra取得力旺专利授权后，将推出CMOS 0.18微米工艺的CL180G、CL180H，预计0.13微米的CL130G工艺将在2006年底正式推出。

特许也正积极布局内嵌式存储器方案，除了OTP、MTP等逻辑非挥发存储器外，亦拥有先进工艺的嵌入式Flash等秘密武器。晶圆厂业者表示，未来网络、消费电子将走向整合型芯片，晶圆厂若能提供嵌入式存储器及混讯相关工艺技术，将可为客户提供整套解决方案，极具附加价值。