内容导读：

三星电子宣布已经开发出在单个封装中包括两片512Mb DDR SDRAM裸片的1Gb DDR同步DRAM(SDRAM)芯片级封装(CSP)部件。该芯片具有DDR 266和DDR 333两个版本，尺寸大小为11.5×12mm，并符合JEDEC DDR芯片级封装颗粒间隔(ball pitch)规范。 三星透露2G DDR芯片级封装部件可能使用两片1-Gb DDR SDRAM裸片制造，但是没有透露三星是否制造这种产品的计划和时间 。

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来源:半导体国际 作者: 时间:2003/10/9 0:00:00