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霍尼韦尔与 Cabot 公司签署全球专利交叉授权协议
内容导读:

2005年12月15日霍尼韦尔电子材料部宣布与 Cabot 公司就面向半导体业的钽 (Ta) 材料和产品签署了全球专利交叉授权协议。

Cabot 是钽金属供应商,是一家生产特殊化学品和材料的跨国公司,霍尼韦尔是用于生产半导体芯片的钽物理气相沉积 (PVD) 溅镀靶材的制造商,该协议将使双方能够利用更广泛的钽专利组合,从而更好地为半导体制造业客户服务。该专利组合包括与高纯度钽金属和溅镀靶材生产有关的 14 项全球专利。并且此后,霍尼韦尔将能够为半导体制造商提供最先进的钽金属技术以用于尖端芯片制造。

铜互连线是可在芯片中传导电流的极其精细的金属线,制造商使用钽金属来制作绝缘层,以防止铜扩散到周边材料而造成不必要的损害。通过 PVD 工艺将金属应用于芯片生产是最常见方法之一,在该工艺中溅镀靶材上的金属将被蒸发并在芯片上沉积为一层薄膜。

霍尼韦尔电子材料部是面向半导体业的溅镀靶材的全球领先制造商,是半导体业全球领先的高性能特殊材料生产商。同时还制造在后端封装工艺中使用的材料,以用于半导体芯片的热管理和电气互连。

霍尼韦尔拥有并经营着自身的金属精炼和净化工艺,确保为该行业提供最稳定的、可达亚微米级别的产品控制。霍尼韦尔还制造和供应用于提高 PVD 工艺效率的线圈组,以及在扩散炉中用作高精度温度感应设备的贵金属热电偶。

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来源:电子与封装 作者: 时间:2006/2/22 0:00:00
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