内容导读：

日前AMD 的研发人员开发出一种高性能的晶体管，其性能比目前的高性能P通道金属氧化半导体 (PMOS) 高30%。这种晶体管采用AMD专有的技术，其中包括一般称为单元全耗尽的绝缘硅 (SOI)。

在另一相关的研究中，AMD 的研发人员利用金属门开发出一种受压 (strained) 硅片晶体管，其性能比传统的受压硅片晶体管高20至25%，为业界创下新的晶体管性能标准。

AMD 将出席今年6月11日至12日在日本京都举行的超大规模集成电路研讨会 (VLSI Symposium)，并计划在会上首次公开发表这两项研究的结果。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/4/11 0:00:00