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三星电子表示，将自下个月开始，于京畿道器兴Fab8生产线，采用90纳米工艺量产内存。并表示，在70纳米方面，亦在去年6月完成工艺开发后，于最近成功制作出试制品，计画自明年开始着手量产。同时，已在最近确保1G DDR SDRAM样品，并考虑在今年内生产4G产品。

此外，三星电子决定将可腰斩闪存价格的新技术应用于量产，以抢攻英特尔掌控的闪存市场。同时，已开发出于NAND型闪存加入非内存功能，可用于取代主要使用于手机与PDA等行动通讯产品的NOR型闪存的产品，并开始以便宜33~50％的价格供货。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/5/7 0:00:00