内容导读：

在6月2日至4日的2003 IEEE国际互连技术大会（IITC）上，英特尔、索尼、TSMC、东芝和其它一些主要芯片生产商将展示他们目前或未来的低K策略。

日本的东芝和索尼公司将在大会上作相关报告，报告中将提到嵌入式DRAM技术,主要涉及旋涂式玻璃法和化学气相沉积法（CVD）低K薄膜。东芝和索尼公司在一些特定产品中一直使用的都是Dow Chemical公司的旋涂式技术，但它们在未来的设计中也许会寻找混和的方法。

未来另一种可能的方法是使用物理隔离（air gaps）作为低K电介质材料。摩托罗拉、飞利浦半导体和意法半导体将就这方面作题为"使用物理隔离作为超低K电介质材料的高级铜互联的综述及展望"的报告。

台积电将提交90纳米技术相关的报告，目前该公司在90纳米节点中使用的是Applied Materials公司的黑钻石低K薄膜。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/6/2 0:00:00