内容导读：

英飞凌科技与科莱恩公司(Clariant)业务部门日前宣布共同签署一项协议，将合作开发157纳米微影技术用光阻材料，加速这项技术早日进入量产。这项计划所要开发的光阻材料将帮助英飞凌进行生产55纳米结构DRAM半导体芯片的157纳米技术认证。

国际半导体技术发展蓝图描述了未来芯片世代所需的技术与材料，并预测55纳米结构产品将在2007年初进入量产，要达成这个尺寸的一项可行主流技术为157纳米微影，它是一项采用氟分子雷射发射157纳米波长真空紫外光的技术。在此之前Intel公司宣布从157纳米工具撤退，转而支持EVV，因为该公司预计在预定推出157纳米工具的时间之前无法解决所有的问题。然而，德州仪器、摩托罗拉等公司并没有放弃157纳米工具。英飞凌也加入了支持的阵营，将在其位于德国德累斯顿的制造厂开展研究，希望2007年能在55纳米工艺上制造DRAM芯片。 

标签：

来源:中电网 作者: 时间:2003/6/23 0:00:00