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三星电子将自今年底到明年年底前，总计投入4.4兆韩元（约37亿美元），扩建12吋晶圆专用厂－Fab12，并增设Fab13厂。

三星电子在最近召开的内部主管会议中，决定在今年10月与11月，让Fab12厂第二阶段（Phase 2）所需的设备到位，目前已开始着手向相关设备业者下单采购微影与沉积等关键设备。

同时，据传三星电子将在明年初投资Fab13厂，目前已开始着手进行相关前置作业，预定在近期成立专责小组。

据了解，三星电子将在今年内建构的Fab12厂Phase 2，将具备1.2万片12吋晶圆月产能，投资金额与投入Fab12厂Phase1的1.4兆韩元（约11.8亿美元）相当。至于将在明年追加兴建的Fab13厂，预期初期将具备1万片的12吋晶圆月产能。

据传三星电子针对Fab13厂的投资，将提前到明年第一季季底，总计将投入3兆韩元，并采用90奈米制程。同时，三星电子计划自Fab13厂开始，引进ArF（氟化氩）Stepper（步进机；曝光设备），以取代现有的KrF（氟化氪）Stepper。预期三星电子在启用Fab13厂后，将具备4~5万片的12吋晶圆月产能（含Fab11厂的7千片与Fab12厂的2.5万片）。
南韩一设备业者表示，三星电子Fab12厂Phase1将自本月开始步入量产体系，显示三星电子已拥有生产12吋晶圆所需的Know-how，对于Fab12厂Phase 2及Fab13厂的投资只是时间早晚问题。并指出，三星电子扩建12吋晶圆厂系因最近DRAM景气出现复苏迹象，加上原有的Fab7、Fab8与Fab9厂转换为生产非内存芯片的晶圆厂，导致内存产量减少之故。
对此，三星电子相关人员表示，为因应可望好转的半导体景气，该公司确实考虑加码投资12吋晶圆厂，然尚有待高层做最后定夺。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/6/26 0:00:00