内容导读：

安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD-123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123（JEDEC DO219）封装器件。SOD-123FL封装的瓦特/ mm2  热性能比SOD-123提高达149%，比SMA提高达90.5%，比PowerMite提高达26.5%。SOD123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD123封装低25%或以上，适宜电路板空间受限的便携应用。
      
SOD-123FL封装的引脚结构和线夹设计，允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更好的浪涌电流能力，适合瞬态电压抑制应用。安森美半导体在新型封装内采用低泄漏电流硅技术，可节省能量。

SOD123FL采用100%锡（Sn）涂覆所有外表电镀面。其在260° C下回焊，达到1级潮湿敏感度等级（MSL），同时与现有回焊工艺逆向相容。

安森美半导体已推出50款具实效的SOD123FL封装标准元件。目前可提供以下器件：
-SMF 5.0：5V至170V的200瓦TVS器件系列。

-MBR120VLSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二极管，具极低正向电压，可延长便携应用的电池寿命。

-MBR120LSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二极管，具低正向电压，可延长可延长便携应用的电池寿命。

-MBR120ESFT1：1安培、20伏肖特基功率整流管，具低漏电。

-MBR140SFT1：1安培、40伏肖特基功率整流管，具优化的低正向电压和低泄漏。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/6/27 0:00:00