内容导读：

安森美半导体推出采用HDPlus芯片工艺制造的新系列自护式SmartDiscrete器件。这些新型器件是低边、自钳位、46 V、48-185mΩMOSFET，集成了电流限制保护、过热关断、过压保护以及静电放电保护。

新型SmartDiscrete 功率MOSFET的自护式电路设计结合了漏极电流感应与限制。在负载短路的情况下，电流限制电路保护可阻止电流尖峰。如果这种情况持续下去，温度电路监测接点温度将在到达某设定点时（典型值为175摄氏度）关断器件。内部温度限制电路设计为在接点温度降低约15摄氏度时自动接通主MOSFET。器件不断进行热循环，直到短路情况被修正。该等器件采用低成本、节省空间的SOT-223和DPAK表面贴装。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/7/4 0:00:00