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英飞凌与Chartered公司签定了一项多年合约，英飞凌将使用Chartered的3号生产线生产功率MOSFET。

英飞凌科技与Chartered半导体制造公司签定了一项多年合约，英飞凌将使用Chartered的3号生产线，大规模生产功率MOSFET。

Chartered将在它的Fab2厂安装英飞凌的OptiMOS技术，为英飞凌生产功率控制及电源管理器件。据此协议，它还将使用英飞凌的CoolMOS工艺进行生产。英飞凌表示，OptiMOSa工艺在Chartered的Fab2厂运转非常好，掩膜层数比典型的CMOS工艺流程减少了。这将使芯片片价格比Fab2厂的普通CMOS产品低。

这项合作也是英飞凌外包芯片的一部分。在此之前，英飞凌已经与台湾Nanya技术公司，Winbond电子公司以及中芯国际签定了代工协议。在存储器方面，年初英飞凌与其外包合作者台湾的ProMOS技术公司闹翻了。

用于Fab2厂的OptiMOS工艺预计在年底能够通过验收，2004年达到量产。作为协议的一部分，Chartered还将为英飞凌提供不采用OptiMOS工艺的产品。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/7/10 0:00:00