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赛普拉斯提供高密度同步SRAM样品
内容导读:
赛普拉斯半导体公司日前宣布,开始交付据称是目前业界密度最高的同步SRAM样品。这种6晶体管72Mb器件支持标准同步架构和NoBL(零总线等待时间)架构,用于高数据吞吐量、低延时应用,如交换、路由、基站和数据存储领域。

赛普拉斯的CY7C147X和CY7C148X系列SRAM有42种不同配置,其数据传递速度与高速DRAM相比快了5到7倍。该器件与较低密度的SRAM管脚兼容,从而易于实现向较高密度产品的迁移,并简化设计过程和节省占板空间。

赛普拉斯新的72Mb产品有管线和涌流两种结构。采用管线结构的器件支持高达250MHz的时钟速率,提供高达9Gbps的带宽,初始等待时间为一个时钟周期。这些器件采用高级频率检测电路,仅用60%的时钟周期时间就能提供有效数据,从2.4ns到4.1ns的有效数据窗口,从而能最大限度地发掘客户时钟预算的潜力。具有涌流结构的产品支持133MHz时钟速率,提供高达4.8Gbps的带宽,初始等待时间少于一个时钟周期。管线结构和涌流结构器件的封装都有3.3V和2.5V BGA、fBGA或TQFP等形式,配置形式有4Mb×18、2Mb×36或1Mb×72。

赛普拉斯的72Mb器件首次使用了该公司的90nm(0.09微米)RAM9工艺技术,在美国明尼苏达州布卢姆斯顿市的4号工厂中制造。RAM9采用赛普拉斯有专利的完全自对准接触及钨堆叠栅极,这样制作的晶体管性能高,并能扩展以适应将来的技术。
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来源:中电网 作者: 时间:2003/7/23 0:00:00
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