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Hynix半导体日前表示，已开发出0.18微米高压制程技术，该技术为制造LCD驱动IC等要求高压的非内存半导体组件所需的关键制程技术。与以前的技术相比，该技术可使芯片面积缩小20~30％，有助于手机的小型化与轻型化。同时，采用该技术，可将源驱动器、栅驱动器、控制器、整流电路与SRAM整合为单一芯片，有助于降低制造费用。

Hynix表示，已将此技术应用于单芯片TFT-LCD驱动IC，并提供客户试制品。同时还表示，预定自下个月正式开始量产。计划通过简化制程，在今年年底前完成低功率高压制程的开发。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/8/27 0:00:00