内容导读：

　　Trias SPA单片等离子体处理系统能对直径为200和300mm晶片提供快速自由基氧化工艺。它采用了Slot Plane Antenna（SPA）等离子体发生技术，具有高密度和低电子温度的特点。这种等离子能产生高浓度氧自由基，从而可在低于400°C下氧化出高质量氧化膜。该系统适于制备35~150A厚的高品质膜氧化层，氧化过程不受片子晶向的影响。高速自由基氧化腔可以通过传统SPA反应腔的升级得到。
　　Tokyo Electron Limited (TEL)  www.telusa.com

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来源:半导体国际 作者: 时间:2003/7/1 0:00:00