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DRAM现货价反弹 但仍未好转
内容导读:
近期DRAM现货价反弹,部分业界人士认为DRAM价格已触底,然而iSuppli公司看法保守许多,其分析师认为影响定价的基本面因素尚未出现好转迹象,其理由是:

1.DRAM供应商的库存水准偏高。iSuppli认为,整体半导体产品库存水位虽下滑,但存量依旧高于实际需求量。简而言之,目前DRAM市场并没有短缺问题。

2.现货市场交易量低。元月伊始,DRAM需求并无明显变化,多数现货市场交易都集中于 SDRAM,而DDR333 和DDR400 SDRAM卖得并不好, OEM大厂需求也无起色。少量交易情况下,现货价即使上涨 10%,还不如大量交易情况下1%的涨幅有意义。

3.DRAM产能调整效应过度炒作。Hynix、英飞凌、美光调拨DRAM生产线增产NAND型flash,今年全年DRAM产能只会因此减少1%;三星去年增产NAND的确挤压其DRAM产出及占有率,但该公司先前曾表示今年DRAM位增长率更胜去年,再降低产能的机率不大。


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来源:中电网 作者: 时间:2004/2/2 0:00:00
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