内容导读：

三星电子为扩大在闪存的领先地位，计划提高产能1倍。另外，采用90纳米半导体工艺的NAND型闪存已开始出货。

三星半导体表示，已推出采用90纳米工艺的2GB NAND产品。公司也将扩充闪存整体产能，以因应数码相机、手机等对此的需求。三星预估，按总容量计算，今年NAND出货将大幅增长180-200%，而且目前的缺货状况将延续到今年第3季。
三星公司计划将出货量提升1倍。三星为满足DRAM和闪存产品的旺盛需求，已扩充位于韩国12英寸晶圆厂的产能。在DRAM业务方面，三星也将增加0.10微米的SDRAM产能，特别是DDR2，也在12英寸厂生产。

今年三星的半导体资本支出预期达到59亿美元，高于2003年的51.4亿和2002年的31亿。但内存支出预计由去年的32.4亿美元降至13亿，LCD支出则由14.7亿美元增至23亿。

虽然减少内存资本支出，但三星将维持DRAM和闪存市场的领先地位。三星2003年闪存营收达22亿美元，市场占有率19.5%，超越英特尔，跃居第一。

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来源:中电网 作者: 时间:2004/4/2 0:00:00