内容导读：

英国Intense光子公司日前宣布成功实现将100个以上的功能器件集成到一个单片芯片上。这个成就充分显示了Intense光子公司的量子阱交错技术QWI的量产能力。这也为今后制作更高性价比，更多功能，更小尺寸的光芯片奠定了基础。

Intense的QWI技术不像以往的基于regrowth的技术，所有的器件制作都是在一步完成。Intense光子的首个器件是980nm激光器的阵列。该产品基于GaAs芯片，每个单个激光器的输出功率都大于220mw，通过平面波导器件再将功率集合到一起。这种器件可以大大降低EDFA的制造成本。 

标签：

来源:中电网 作者: 时间:2004/5/8 0:00:00