内容导读：

IC设计和制造工艺独立研究组织IMEC最近研制成功能存储9-bit的非易失性存储器单元的原型。与给定制造工艺下所采用的先进浮动门存储器(floating gate memory)相比，该技术能潜在地使存储密度实现高达4倍的增长。

与此同时，IMEC的研究人员开发出了名为“ScanROM”的器件，能在每个存储器单元内储存9-bit。ScanROM基于双门晶体管，在耗尽端门下方有一层氮氧氮电荷阱介电层。细节将于6月15到17日在夏威夷举行的VLSI Technology and Circuits研讨会上公布。

标签：

来源:中电网 作者: 时间:2004/5/27 0:00:00