内容导读：

IBM和英飞凌日前推出了原型16MB磁性内存芯片，以便努力建立一个芯片制作的新标准。

这两家公司日前在夏威夷举行的大规模集成电路研讨会上展示了这种MRAM（磁性随机存储存储器）内存芯片。同目前主流的内存芯片不同，这种MRAM内存芯片依靠磁性而不是电荷来存储数据。

MRAM内存芯片能够显著提高内存技术的存储状态。同闪存一样，MRAM内存芯片在主机关闭电源时仍可继续存储数据。MRAM内存芯片能够快速提取数据，而且从理论上可以永久性使用。

去年6月份也是在这个会议上，IBM和英飞凌发表了一篇论文，介绍了使用180纳米工艺制造的一个容量为128KB的MRAM芯片。当时，这两家公司许诺在2004年年初展示功能齐全的MRAM内存芯片，并且预计这种芯片将在2005年开始商品化生产。然而，这个最后期限现在变得有点含糊不清了。IBM和英飞凌在宣布MRAM内存芯片的原型产品时表示，MRAM内存芯片“在几年之内”有进入各个市场的潜力。

许多人预计，存储芯片，特别是闪存芯片，在未来十年里将进行重大的结构转变，因为目前改善存储芯片的技术太复杂，成本太高了。简单地说，缩小内存芯片和增加晶体管成本太昂贵，太困难了。

然而，MRAM内存芯片是转变存储芯片结构的几个考虑之一。微软投资的新兴企业Nanochip正在提议用闪存芯片替代目前的存储芯片。摩托罗拉主张在闪存芯片中集成硅纳米晶，从而进一步缩小芯片尺寸。还有一些新兴企业主张设计分子芯片。

实际上，各个公司都可以解释它们自己的方法和相互竞争的不同意见。但是，随着MRAM内存芯片进入市场的最后期限模糊不清，由于风险和成本的问题，替代目前的技术并不是很容易。

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来源:中电网 作者: 时间:2004/6/24 0:00:00