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飞利浦电子公司近日宣布其LDMOS(Lateral Diffused Medal-Oxide-Semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术获得重大进展，这项技术将使WCDMA基站制造商突破RF功率放大器输出级30%的效率瓶颈。可提供更先进的多媒体和数据服务的WCDMA蜂窝基础设施需要高效率基站放大器，这对WCDMA固有的低效能系统提出了挑战。

飞利浦下一代LDMOS生产的RF功率晶体管只有0.4-μm，四层金属镀膜，实现了射频输出功率效率超过30%的高增益与优良线性的独特组合，带来了高运行效率。这种产品是基于飞利浦公司的0.14-um CMOS megafab生产线制造的。

该项技术可广泛运用于从800MHz到2.2GHz的全部频段，除了在WCDMA系统中的优势以外，飞利浦第五代LDMOS器件同样适用于在亚洲部署的1GHz和2GHz GSM/EDGE和CDMA基站中更高性能的RF功率放大器。

与现今的LDMOS技术相比，由于有高效率的RF功率输出，飞利浦第五代的LDMOS技术使WCDMA的运行效率提高了4个百分点。为WCDMA基站配置这种技术的相应产品，RF功率放大器能够节能15%还多，降低了运营成本，减少了热能损失，并降低了机身温度。

第五代 LDMOS晶体管所用的铝-铜金属镀膜替代了飞利浦前几代产品所使用的金镀膜，却保持了相同水平的可靠性。与其他厂商的产品所使用的双层铝镀膜相比，这种极宽、厚的铝铜金属镀膜实现了四倍的可靠性并降低了晶体管的寄生产物。

因为这种加强的可靠性，设计师可以让飞利浦第五代LDMOS晶体管的接点在温度高于传统器件25K(开尔文度)以上仍能运行，寄生产物的降低增强了RF性能，高节点运行温度和小于0.5K/W（开/瓦）的低节点-外壳热阻使得基站放大器可使用体积更小、成本更低的散热器，第五代LDMOS高于17dB的高增益也使驱动级的能耗和线路复杂性达到最小化。

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来源:中电网 作者: 时间:2004/7/12 0:00:00