DRAM0.11um制程挂帅国际大厂发力
内容导读:
日前,全球DRAM大厂在第二季度转换制程到0.11微米,在良品率无法提升、各厂产出锐减德情况下,造成当时DRAM现货价大幅攀高,经历了这段阵痛期,随着进入8月,目前包括三星(Samsung)、美光(Micron)、英飞凌(Infineon)等国际大厂标准型DRAM采用0.11微米以下制程比重均已逾7成,台湾地区厂商落后国际大厂一大段距离。
DRAM龙头厂三星的制程技术一向领先同行半年以上,在2004年初,三星在将制程转换至0.11微米时,因为使用新的介电质材料,在转换过程遭遇到瓶颈,造成三星第一季度产出明显滑落,但在第二季度时即获得解决,产出随即恢复到正常轨道。
美光和英飞凌在第二季度时也都因为0.11微米制程转换不顺而影响了产出,但目前两家业者0.11微米制程良品率均已大幅提升,且都开始大量投片。美光现阶段在标准型DRAM部分约有70%的产出是以0.11微米制程为主,而英飞凌也有约70%产出是采0.11微米制程,英飞凌预计到年底时0.11微米制程产出比重将提升至80%。
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来源:中电网 作者: 时间:2004/8/12 0:00:00