内容导读：

AMD超微半导体和富士通公司投资的闪存存储器合资公司—Spansion公司在11月12日宣布计划将位于日本的200-mm闪存存储器工厂在2007年前转为300-mm工厂。

目前，这一闪存存储器合资公司在美国的Austin、Texas（Fab 25工厂）和日本的Aizu-Wakamatsu分别设有200-mm工厂。风险计划在Fab 25工厂进行110-nm生产，2004年下半年Aizu-Wakamatsu的工厂也引入了110-nm技术。到2007年，公司风险计划实现在日本的工厂从200-mm到300-mm生产的转变。Spansion公司总裁兼CEO Bertrand Cambou介绍说。

在AMD(Sunnyvale, Calif.)的互联网直播分析会议中，Cambou介绍说日本工厂的的JV3部门计划在2007年前实现65-nm工艺的转换。工厂还计划开发45- 和30-nm技术，或22-nm技术。

为了重新获得市场优势，Spansion LLC概括描绘了在一个平台上结合了基于NAND- 和 NOR-技术的新结构。同时，Spansion还计划在2005年早期生产业内首个90-nm、1千兆位NOR器件样品。公司说还计划将它的闪存存储器技术提高到基于65nm工艺的8千兆位密度。

Spansion公司成功实现他的承诺，这意味着AMD的第二家300-mm工厂。公司当前为在德国Dresden的处理器生产建立了300-mm工厂，命名为Fab 36工厂。

标签：

来源:中电网 作者: 时间:2004/11/18 0:00:00