内容导读：

英飞凌科技(Infineon)与我国台湾地区的南亚科技共同宣布，双方协力研究的DRAM 90 纳米制程技术已成功通过主要客户及英特尔(Intel)认证， 英飞凌德国德累斯顿的12英寸晶圆厂开始量产；双方在台湾合资兴建的华亚科技12英寸晶圆厂，也开始进行90纳米制程技术转换。

英飞凌今年5月底前已有5%的全球总生产量由110纳米移转至90纳米制程技术生产，借由加快下一代制程技术转换的脚步，提升成本竞争优势及产品效能。

相较110纳米技术，90纳米制程结构更进一步缩小芯片尺寸，因此每片晶圆裁切出的芯片量可望增加30%以上。借由尺寸缩小和12英寸晶圆使用所预期增加的产量，是芯片生产成本能够大幅下降的因素。

另一方面，90纳米制程使用“棋盘式内存阵列”，通过改善平面标准制程，即可达到优越的存贮电容，不需使用复杂的高介电质材料。

产品规划上，512 Mb DDRII SDRAM预期2005年下半年推出。其他产品包括256Mb DDRII和1G DDRII将会陆续提供。

除90纳米制程外，英飞凌和南科的策略联盟包括下一代70纳米技术合作。

标签：

来源:中电网 作者: 时间:2005/6/3 0:00:00