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NS明年底前实现芯片无铅化
内容导读:
美国国家半导体公司(National Semiconductor)宣布计划在 2006 年年底之前实现生产工序无铅化。换言之,届时该公司出售的集成电路类产品中将会全部采用不含铅封装。

国家半导体早在2004年4月就已宣布为全线芯片产品提供不含铅的封装。目前该公司的15000款模拟及混合信号集成电路产品都有不含铅的封装供客户选择。预计2006年6月底之前,国家半导体出售的芯片产品将会全部采用不含铅封装,这显示该公司的生产工序将完全符合欧盟议会所颁布的限制使用危险材料的规定。但国家半导体对减少用铅怀有更远大的的理想,内部对此所定的要求远比该公司有业务往来的国家或地区所颁布的规定更严格。

美国国家半导体中央技术生产部执行副总裁Kamal Aggarwal表示:“国家半导体是不含铅封装技术的领导者,要做到开发创新的高性能产品时,也能确保所开发的产品既环保而又可循环再利用。
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来源:中电网 作者: 时间:2005/6/3 0:00:00
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