内容导读：

闪存制造商Spansion公司宣布已经开始采用110纳米浮门技术批量生产两大新的闪存系列。Spansion表示，新的S29WS-J 和S29NS-J闪存系列是功能齐全的、高性能1.8伏产品，可以使现有设计迅速地从130纳米浮门技术移植到110纳米浮门技术。新的闪存系列在单芯片和多芯片封装（MCP）配置中提供了128Mb和64Mb的密度、高频脉冲串模式接口和同时读写功能。

Spansion可以采用130纳米或更先进的技术提供1.8伏和3伏无线NOR闪存系列产品。采用Spansion 110纳米浮门技术的产品现在已经占到了Spansion的Fab 25工厂的总产量的50%以上。这项技术通过缩小现有的130纳米浮门闪存的芯片尺寸，有助于提高设备生产能力和改进成本结构。这项技术还用于支持Spansion此前推出的3伏分页模式S29PL-J系列。

S29WS-J系列采用了强大的先进扇区保护安全功能，支持业界标准的无线基带芯片组和分离的地址、数据I/O信号。S29NS-J系列减少了引脚个数，因而可以简化电路板的布线。它还采用了一个多路复用的I/O总线。这种总线可以将地址和数据信号结合到一起，与兼容的基带芯片组配合使用。

Spansion表示，设计无线产品系列的目的是帮助设计人员充分利用未来的技术和降低相关的成本。这两个系列都建立在浮门技术的基础之上，并为将来升级到基于110纳米的第二代MirrorBit技术提供了一条明确的、引脚兼容的途径。

Spansion目前正在提供S29NS-J 和S29WS-J产品系列的样品，并即将开始批量生产。128Mb和64Mb的产品的每万片价格分别为12美元和7美元。

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来源:中电网 作者: 时间:2005/8/19 0:00:00