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三星电子已为下一代移动电话开发出一款超高速1Gb OneNand Flash存储芯片。该公司称，该芯片把传统Nand Flash的阅读速度提高了四倍。

OneNand使用了90纳米制造工艺，它集成了NOR闪存高速数据阅读功能和Nand闪存先进的数据存储能力。

OneNand在单一一块芯片上集成了NOR Flash的接口，Nand Flash的逻辑控制器，Nand Flash Array和容量高达5KB的Ram内部缓冲器。

这家电子行业巨头称，该产品拥有66MHz的同步接口和高速缓存阅读功能，从而将阅读性能提高到了108Mbps。

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来源:中电网 作者: 时间:2004/11/11 0:00:00