AMD探索内存新技术 缓存容量提高5倍
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1月22日消息,AMD公司正在为其处理器探索新的片载内存技术,并将此作为一种提高性能和处理器产量的方式。
AMD公司已经许可了由位于加利福尼亚州圣克拉拉的创新硅谷公司开发的名为Z-RAM的内存技术,以增加其处理器的缓存。Z-RAM的意思是“零电容动态RAM”,它能够将DRAM的存储密度翻一番,将处理器的缓存容量提高5倍,而无需要求使用特殊的材料或更先进的制造工艺。
尽管仍然处于整合Z-RAM技术的早期阶段,AMD认为这一技术能够帮助它减少缓存在芯片中的空间。缓存所占空间的减小有助于减小芯片的总体尺寸,或者在尺寸相同的情况下增加缓存容量。
AMD的一位发言人表示,这一协议是我们提高芯片缓存容量或降低能耗努力的一部分,我们正在研究在未来芯片中使用这一技术的可能性。皓龙芯片将可能采用这一技术。目前,AMD顶级的皓龙芯片配置有2MB的二级缓存。(赛迪网)
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来源:中电网 作者: 时间:2006/1/22 0:00:00