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飞思卡尔与台积电达成协议集中于65纳米SOI技术联合开发

飞思卡尔半导体公司与台积电公司TSMC已经签署了一项协议，将基于65纳米先进CMOS工艺、联合开发新一代SOI(绝缘硅)高性能晶体管前端技术。这一为期三年的协约同时也向台积电提供了飞思卡尔90纳米SOI技术的制造授权。

本文摘自《半导体技术》

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来源:中电网 作者: 时间:2004/11/17 0:00:00