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为扩大产能，三星计划再兴建一座12寸晶圆厂，采用65纳米制程生产NAND型闪存等产品。

三星美国子公司Samsung Semiconductor Inc. 技术行销副总Jon Kang指出：“我们将兴建新的65纳米生产线。”公司正积极研发70纳米以下产品，包括一8GB闪存装置。

三星一发言人说，这座12寸厂盖好也是好几年以后的事。Kang表示，2GB将公司今年主力产品，公司也正努力研发4GB和8GB的NAND flash。初期产品将使用70纳米以下制程。首批产品是8GB NAND，样品应可在年底发表，但要到2006年才会量产。Kang还表示：“我们的目标是每年将产品容量提高1倍。”

本文摘自《半导体技术》

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来源:中电网 作者: 时间:2004/11/11 0:00:00