内容导读：

Hynix首席财务官ChungHyung-ryang表示，Hynix中国大陆全资子公司建厂选址流程即将完成，估计2005年下半年就可投入DRAM量产，届时即不会有关税之类的贸易纠纷。此外，把Hynix南韩部分生产设备移往中国，也是可行方案。

Chung并未说明Hynix将在中国何地建厂，也不愿透露年产目标，不过Chung表示其非内存业务处分作业可望在4月底前定案。且Hynix年底前会把NAND型flash月产能由1万颗提高到3万颗。

本文摘自《半导体技术》

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来源:中电网 作者: 时间:2004/5/31 0:00:00